发明名称 一种精炼冶金硅的杂质含量检测分析方法
摘要 本发明公开了一种精炼冶金硅的杂质含量检测方法,包括如下步骤:(1)在所需检测的晶棒或晶锭上沿结晶方向选取测量点,测定电阻率,获得电阻率随结晶分数分布的实测值;(2)给出每个测量点的硼和磷含量的预估值,算出预估净余载流子浓度,以及该点的实测净余载流子浓度;(3)比较各个测量点的净余载流子浓度实测值和预估值,调整硅材料中的杂质含量预估值,获得新的每个测量点预估净余载流子浓度,通过回归分析法确定硼和磷的杂质含量分布情况;(4)根据各个测量点的杂质分布情况,得出待测材料中的硼和磷的平均杂质含量。本发明能够准确地测出精炼冶金硅中硼和磷的杂质含量,且操作简便,成本低廉,适于工业化应用。
申请公布号 CN101131371A 申请公布日期 2008.02.27
申请号 CN200710132843.7 申请日期 2007.10.08
申请人 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 发明人 陈根茂;彭江
分类号 G01N27/04(2006.01) 主分类号 G01N27/04(2006.01)
代理机构 苏州创元专利商标事务所有限公司 代理人 陶海锋
主权项 1.一种精炼冶金硅的杂质含量检测分析方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)在所需检测的晶棒或晶锭上沿结晶方向选取测量点,晶棒上相邻测量点间距不大于2cm,晶锭上相邻测量点间距不大于1cm,从晶棒或晶锭起始点至每一测量点的重量与晶棒或晶锭投料量的比值称为结晶分数,测定每个测量点处材料的电阻率,获得电阻率随结晶分数分布的实测值;(2)根据初始硅材料中的杂质含量预估值及杂质的分凝系数,得出每个测量点的硼和磷含量的预估值,并计算出预估净余载流子浓度;又根据每个测量点的实测电阻率,再计算该点的实测净余载流子浓度;(3)比较各个测量点的净余载流子浓度实测值和预估值,根据指数分凝规律及每个点的结晶分数,再调整硅材料中的杂质含量预估值,获得新的每个测量点预估净余载流子浓度,反复上述过程,通过回归分析法确定硼和磷的杂质含量分布情况,使各个测量点的净余载流子浓度实测值和预估值差值平方平均值小于0.01。(4)根据各个测量点的杂质分布情况,得出待测材料中的硼和磷的平均杂质含量。
地址 215123江苏省苏州市苏州高新区鹿山路199号
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