晶体生长过程中的液态硅的电磁抽吸

摘要

本发明公开了一种与根据直拉法工艺生长单晶体晶锭的晶体生长装置一起使用的方法和系统。晶体生长装置具有容纳半导体熔体的被加热的坩埚，从该熔体拉制晶锭。晶锭在从熔体拉制的籽晶上生长。在晶锭拉制期间在熔体上施加时变的外部磁场。该磁场被选择性地调节以在熔体内生成抽吸力，以便在从熔体拉制晶锭的同时控制熔体流动速度。

主权项

1.一种控制晶体生长装置内的晶体生长的方法，所述晶体生长装置具有容纳半导体熔体的被加热的坩埚，从该熔体根据直拉法工艺生长单晶体晶锭，所述晶锭在从熔体拉制的籽晶上生长，所述方法包括：将磁场施加于熔体，所述磁场影响熔体内的对流；感测从熔体拉制的晶锭的生长参数；将感测的生长参数和目标生长参数相比较以确定功率调节参数；以及根据所确定的功率调节参数在从熔体拉制晶锭的同时改变磁场，以便在熔体内生成抽吸力以改变熔体内的对流的速度。