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经营范围
发明名称
Method for Selective Growth of One-dimensional Silicon Carbide Deposits
摘要
申请公布号
KR100807081(B1)
申请公布日期
2008.02.25
申请号
KR20050099951
申请日期
2005.10.22
申请人
发明人
分类号
C30B29/36
主分类号
C30B29/36
代理机构
代理人
主权项
地址
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