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发明名称 Method for fabricating semiconductor device having meta-gate electrode
摘要
申请公布号 KR100806136(B1) 申请公布日期 2008.02.22
申请号 KR20020031536 申请日期 2002.06.05
申请人 发明人
分类号 H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
主权项
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