| 主权项 |
1.一种晶圆承载装置,设置于一乾式蚀刻反应室中, 用以承载一晶圆,该晶圆承载装置至少包括: 一绝缘盘,该绝缘盘具有一凹槽,以及环绕该凹槽 之一凸出部; 一导体构件,置于该凹槽中;以及 一绝缘环,覆盖及突出于该凸出部顶面, 其中该导体构件的顶面高于该绝缘盘的顶部,且该 导体构件的顶面不高于该绝缘环的顶面。 2.如申请专利范围第1项所述之晶圆承载装置,其中 该绝缘环的表面为一平面。 3.如申请专利范围第1项所述之晶圆承载装置,其中 该晶圆系置于该绝缘环上,该绝缘环的内径不大于 该晶圆的直径。 4.如申请专利范围第1项所述之晶圆承载装置,其中 该绝缘环围绕该导体构件。 5.如申请专利范围第1项所述之晶圆承载装置,其中 该绝缘环的材质包括陶瓷。 6.如申请专利范围第1项所述之晶圆承载装置,其中 该导体构件的材质包括钛。 7.如申请专利范围第1项所述之晶圆承载装置,其中 该导体构件由下而上包括一垫座部(pedestal)与一遮 蔽部(shield)。 8.如申请专利范围第7项所述之晶圆承载装置,其中 该垫座部的材质包括钛。 9.如申请专利范围第7项所述之晶圆承载装置,其中 该遮蔽部的材质包括不锈钢。 10.如申请专利范围第1项所述之晶圆承载装置,其 中该绝缘盘的材质包括陶瓷。 图式简单说明: 图1系绘示乾式蚀刻反应室的剖面示意图,此乾式 蚀刻反应室中设置有本发明一实施例之一种晶圆 承载装置。 图2系绘示本发明一实施例之一种晶圆承载装置之 剖面示意图与上视图。 |
