| 主权项 |
1.一种形成光阻剂图案之方法,包括: (a)在半导体基材上涂布一化学增大之光阻剂组合 物并烘烤该基材形成光阻剂薄膜;以形成一光阻剂 图案; (b)使光阻剂薄膜曝光; (c)烘烤该光阻剂薄膜; (d)使该光阻剂薄膜显影; (e)在该光阻剂图案整个表面上涂布一外涂层组合 物而形成一外涂层; (f)烘烤该外涂层;及 (g)以硷性显影溶液使该外涂层显影;其中该外涂层 阻合物包括: (i)一选自式1之化合物或聚乙烯基咯烷酮之群组 的水可溶聚合物: 其中 R'为H或CH3; R5及R6独立为H或C1-C3烷基;及n为从50至150之整数; (ii)一酸性化合物;及 (iii)水。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中步骤(d)所得之 光阻剂图案之一高度为2000至3000埃之范围。 3.如申请专利范围第1项之方法,其中步骤(e)中该外 涂层厚度,从步骤(d)之该光阻剂图案之上表面计算 ,在200至5000埃之范围。 4.如申请专利范围第1项之方法,其中步骤(f)之烘烤 制程系在50至150℃之温度范围进行30至90秒。 5.如申请专利范围第1项之方法,其中步骤(g)之硷性 显影溶液为TMAH、KOH或NaOH水溶液。 6.如申请专利范围第1项之方法,其中该化学增大之 光阻剂组合物包括具有式2之重复单元之光阻剂聚 合物: 其中X1、X2、Y1、Y2、Z1及Z2个别为CH2或CH2CH2; R1、R3及R4个别选自H、经取代之C1-C10烷基及未经取 代之C1-C10烷基所组成之组群; R2为C1-C10羟基烷基; R*为酸不安定之保护基; p、q及r个别为0至2之整数;及 a:b:c:d之相对比例在5至90莫耳%:5至90莫耳%:0至90莫 耳%:0至90莫耳%之范围。 7.如申请专利范围第6项之方法,其中该光阻剂聚合 物为进一步包括含一具有丙烯酸酯的重复单元之 聚合物之第二聚合物。 8.如申请专利范围第7项之方法,其中该第二聚合物 之重复单元为聚甲基丙烯酸{4-[2-(4-羟基苯基)-1,1,1 ,3,3,3-六氟丙基]苯基酯/甲基丙烯酸(1,1,1,3,3,3-六氟 -2-第三丁基羧酸酯)异丙基酯}、聚[N-全氟丙基顺 丁烯二醯亚胺/第三丁基-5-原冰片烯-2-羧酸酯/甲 基丙烯酸2-(全氟-辛基)乙基酯]或聚(顺丁烯二酸酐 /六氟丁基-5-原冰片烯-2-羧酸酯/丙烯酸2,6-二氟甲 基苄基酯)。 9.如申请专利范围第1项之方法,其中该步骤(b)之曝 光源系选自ArF(193 nm)、KrF(248 nm)、F2(157 nm)及EUV(13 nm)所成之组群。 10.如申请专利范围第1项之方法,其中该步骤(b)之 曝光能量范围自10至30 mJ/cm2。 11.如申请专利范围第1项之方法,其中该式1化合物 之分子量范围自5000至15000。 12.如申请专利范围第1项之方法,其中该式1所示之 水可溶聚合物为聚(N,N-二甲基丙烯醯胺)。 13.如申请专利范围第1项之方法,其中该(ii)之酸性 化合物为有机磺酸。 14.如申请专利范围第13项之方法,其中该有机磺酸 为对-甲苯磺酸单水合物。 15.如申请专利范围第1项之方法,其中该(ii)之酸性 化合物存在量为水可溶聚合物量之2至20重量%之范 围。 16.如申请专利范围第1项之方法,其中(iii)之该水存 在量为水可溶聚合物量之500至4000重量%之范围。 图式简单说明: 图1为显示依据增加曝光能量而使光阻剂图案线宽 及轮廓改变之制程示意图。 图2a至图2d为说明形成光阻剂图案之所揭示方法之 示意图。 图3为聚(N,N-二甲基丙烯醯胺)之NMR光谱图。 图4a及图4b为实例3所得之光阻剂图案之SEM照片。 图5a及图5b为实例4所得之光阻剂图案之SEM照片。 图6a及图6b为实例5所得之光阻剂图案之SEM照片。 图7a及图7b为实例6所得之光阻剂图案之SEM照片。 图8a及图8b为比较例1所得之光阻剂图案之SEM照片 。 |
