| 主权项 |
1.一种III族氮化物发光装置,其包括: 第一导电类型的一第一层; 第二导电类型的一第一层; 置放于第一导电类型的该第一层与第二导电类型 的该第一层之间的一第一作用区域; 一穿隧接面,该穿隧接面包括: 第一导电类型之一第二层,其具有的掺杂浓度大于 第一导电类型的该第一层;以及 第二导电类型之一第二层,其具有的掺杂浓度大于 第二导电类型的该第一层; 第一导电类型的一第三层; 第二导电类型的一第三层;以及 置放于第一导电类型的该第三层与第二导电类型 的该第三层之间的一第二作用区域; 其中该穿隧接面在该第一作用区域与该第二作用 区域之间,第二导电类型之该第二层相邻于第二导 电类型之该第一层,及第一导电类型之该第二层相 邻于第一导电类型之该第三层;及 其中该装置中每一半导体层系一III族氮化物层。 2.如申请专利范围第1项之装置,其中: 第一导电类型的该第二层具有一掺杂浓度,其范围 大约为1018cm-3至约51020cm-3;以及 第二导电类型的该第二层具有一掺杂浓度,其范围 大约为1018cm-3至约51020cm-3。 3.如申请专利范围第1项之装置,其中第一导电类型 的该第二层具有一掺杂浓度,其范围为约21020cm-3 至约41020cm-3。 4.如申请专利范围第1项之装置,其中第二导电类型 的该第二层具有一掺杂浓度,其范围为约71019cm-3 至大约91019cm-3。 5.如申请专利范围第1项之装置,其中当以反向偏压 模式操作时,该穿隧接面具有一电压下降,其范围 在约0V至约1V之间。 6.如申请专利范围第1项之装置,其中当以反向偏压 模式操作时,该穿隧接面具有一电压下降,其范围 在约0.1V至约1V之间。 7.如申请专利范围第1项之装置,其中: 第一导电类型的该第二层具有一厚度,其范围为约 1 nm至约50 nm;以及 第二导电类型的该第二层具有一厚度,其范围为约 1 nm至约50 nm。 8.如申请专利范围第1项之装置,其中该穿隧接面具 有一厚度,其范围为约2 nm至约100 nm。 9.如申请专利范围第1项之装置,其中: 该第一作用区域以一第一峰値波长发光; 该第二作用区域以一第二峰値波长发光;以及 该第一峰値波长不同于该第二峰値波长。 10.如申请专利范围第1项之装置,其中: 该第一作用区域以一第一峰値波长发光; 该第二作用区域以一第二峰値波长发光;以及 该第一峰値波长与该第二峰値波长大致相同。 11.如申请专利范围第1项之装置,其进一步包括: 电连接至第一导电类型的该第一层的一第一接点; 以及 电连接至第二导电类型的该第三层的一第二接点 。 12.如申请专利范围第11项之装置,进一步包括:电连 接至第二导电类型的该第一层与第一导电类型的 该第三层之一的一第三接点。 13.如申请专利范围第11项之装置,其进一步包括: 一子基板; 将该第一接点连接至该子基板的一第一互连;以及 将该第二接点连接至该子基板的一第二互连。 14.如申请专利范围第13项之装置,其包括: 复数个连接至该子基板的引线;以及 位于该子基板之上的一透镜。 15.如申请专利范围第14项之装置,进一步包括置放 于该等引线与该子基板间的一散热器。 16.如申请专利范围第11项之装置,其中该第二与第 三接点系位于该装置的一相同侧。 17.如申请专利范围第11项之装置,其中该等第一、 第二、与第三接点系位于该装置的一相同侧。 18.如申请专利范围第1项之装置,进一步包括位于 该第一作用区域之上的一波长转换材料。 19.如申请专利范围第18项之装置,其中该波长转换 材料为一磷。 20.如申请专利范围第1项之装置,进一步包括一波 长转换材料,覆盖该装置的一上表面与一侧表面。 21.如申请专利范围第1项之装置,其中该第一作用 区域包括AlxInyGazN,其中0≦x≦1,0≦y≦1,0≦z≦1,x+y+z =1。 22.如申请专利范围第1项之装置,其中第一导电类 型的该第二层具有一厚度,小于第一导电类型的该 第一层的厚度。 23.如申请专利范围第1项之装置,其中第二导电类 型的该第二层具有一厚度,小于第二导电类型的该 第一层的厚度。 24.如申请专利范围第1项之装置,其中该穿隧接面 系在第二导电类型的该第一层与第一导电类型的 该第三层之间。 25.一种操作发光装置的方法,该装置包括一第一接 点、电连接至该第一接点的第一导电类型的一第 一层、位于第一导电类型的该第一层之上能够发 光的一第一作用区域、位于该第一作用区域之上 的第二导电类型的一第一层、一穿隧接面,其包括 位于第二导电类型的该第一层之上的第二导电类 型的一第二层与位于第二导电类型的该第一层之 上的第一导电类型的一第二层、一第一导电类型 的第三层,其位于该穿隧接面之第一导电类型之该 第二层之上、位于第一导电类型的该第三层之上 能够发光的一第二作用区域、位于该第二作用区 域之上的第二导电类型的一第三层、电连接至第 二导电类型的该第三层的一第二接点,以及连接至 穿隧接面、第二导电类型的该第一层、及第一导 电类型的该第三层之一的一第三接点,该方法包括 : 横跨该等第一与第三接点施加一电压下降,使得该 第一作用区域发光;以及 横跨该等第二与第三接点施加一电压下降,使得该 第二作用区域发光。 26.如申请专利范围第25项之方法,其进一步包含横 跨该等第一与第二接点施加一电压下降,使得该第 一作用区域与该第二作用区域发光。 图式简单说明: 图1A与1B说明根据本发明的具体实施例,合并穿隧 接面之单一作用区域。 图2说明有多重作用区域,两个接点的本发明的一 项具体实施例。 图3说明有多重作用区域,多接点的本发明的一项 具体实施例。 图4说明合并一波长转换材料之多重作用区域,两 个接点的本发明的具体实施例。 图5说明一封装的发光装置。 |
