| 主权项 |
1.一种藉由一层转换技术制造一供微电子、光电 及光学用之基板之方法,该类型技术依序包含下列 步骤: (a) 经由半导体材料之一源基板之一表面布植物种 ; (b) 于该表面接合该源基板至一支撑层,该支撑层 初始具有一定量之空隙氧; (c) 于布植区分离该源基板以形成一薄层;及 (d) 最后修整; 该方法进一步包含一系列热处理,俾以受控方式沉 淀所有或部分该空隙氧,以产生所欲防止后续之滑 线显现现象,其特征在于至少一该沉淀热处理整合 于选自下列操作之该方法之一操作: 在步骤c)中于该布植区处用于分离之热处理; 在步骤d)中藉由施行一氧化/去氧化制程而为之热 氧化; 在步骤d)中强化接合介面之热处理。 2.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于该支撑 层中该空隙氧之初始浓度范围自约12至14新ppma。 3.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于在步骤 b)中之接合系藉由分子接合施行之。 4.如申请专利范围第1项之方法,其特征在于用以沉 淀空隙氧之该系列热处理包含至少两个在不同温 度下之热处理。 5.如申请专利范围第4项之方法,其特征在于于一第 一温度范围接着为一较该第一温度范围高之第二 温度范围施行两热处理。 6.如申请专利范围第5项之方法,其特征在于该系列 热处理包含于三逐步增加之温度范围施行之一第 一热处理、一第二热处理、及一第三热处理。 7.如申请专利范围第6项之方法,其特征在于将该第 一热处理整合于步骤c)中在该布植区处用于分离 之热处理。 8.如申请专利范围第6项之方法,其特征在于将该第 一热处理整合于步骤b)前对该支撑层之热处理。 9.如申请专利范围第6项之方法,其特征在于该第一 热处理系该方法之一补充步骤。 10.如申请专利范围第6至9项中任一项之方法,其特 征在于将该第二热处理整合于步骤c)中在该布植 区处用于分离之热处理。 11.如申请专利范围第6至9项中任一项之方法,其特 征在于将该第二热处理整合于步骤d)中一氧化/去 氧化制程之热氧化。 12.如申请专利范围第6至9项中任一项之方法,其特 征在于将该第二热处理整合于步骤d)中用于强化 接合介面之一热处理中,该用于强化接合介面之热 处理进一步包含一氧化/去氧化制程之一热氧化。 13.如申请专利范围第6至9项中任一项之方法,其特 征在于将该第三热处理整合于步骤d)中用于强化 接合介面之一热处理,该用于强化接合介面之热处 理进一步包含一氧化/去氧化制程之一热氧化。 14.如申请专利范围第6至9项中任一项之方法,其特 征在于将该第三热处理整合于步骤d)中用于强化 接合介面之热处理中。 15.如申请专利范围第6至9项中任一项之方法,其特 征在于该第三热处理系该方法之一补充步骤。 16.一种藉由一层转换技术制造一供微电子、光电 及光学用之基板之方法,该类型技术依序包括下列 步骤: (a) 经由半导体材料之一源基板之一表面布植物种 ; (b) 于该表面接合该源基板至一支撑层,该支撑层 初始具有一定量之空隙氧; (c) 于布植区分离该源基板以形成一薄层;及 (d) 最后修整; 该方法包含一系列热处理,其中至少部分整合于该 等先前步骤中,且目的在于以受控方式沉淀所有或 部分该空隙氧,其特征在于施行该等热处理以获得 一沉淀形式之预定量之氧,选择该预定量以维持后 续之滑线显现于预定限制范围内。 17.如申请专利范围第16项之方法,其特征在于该支 撑层中该空隙氧之初始浓度范围自约12至14新ppma 。 18.如申请专利范围第16项之方法,其特征在于在步 骤b)中之接合系藉由分子接合施行之。 19.如申请专利范围第16项之方法,其特征在于用以 沉淀空隙氧之该系列热处理包含至少两个在不同 温度下之热处理。 20.如申请专利范围第19项之方法,其特征在于于一 第一温度范围接着为一较该第一温度范围高之第 二温度范围施行两热处理。 21.如申请专利范围第20项之方法,其特征在于该系 列热处理包含于三逐步增加之温度范围施行之一 第一热处理、一第二热处理、及一第三热处理。 22.如申请专利范围第21项之方法,其特征在于将该 第一热处理整合于步骤c)中在该布植区处用于分 离之热处理。 23.如申请专利范围第21项之方法,其特征在于将该 第一热处理整合于步骤b)前对该支撑层之热处理 。 24.如申请专利范围第21项之方法,其特征在于该第 一热处理系该方法之一补充步骤。 25.如申请专利范围第21至24项中任一项之方法,其 特征在于将该第二热处理整合于步骤c)中在该布 植区处用于分离之热处理。 26.如申请专利范围第21至24项中任一项之方法,其 特征在于将该第二热处理整合于步骤d)中一氧化/ 去氧化制程之热氧化。 27.如申请专利范围第21至24项中任一项之方法,其 特征在于将该第二热处理整合于步骤d)中用于强 化接合介面之一热处理中,该用于强化接合介面之 热处理进一步包含一氧化/去氧化制程之一热氧化 。 28.如申请专利范围第21至24项中任一项之方法,其 特征在于将该第三热处理整合于步骤d)中用于强 化接合介面之一热处理,该用于强化接合介面之热 处理进一步包含一氧化/去氧化制程之一热氧化。 29.如申请专利范围第21至24项中任一项之方法,其 特征在于将该第三热处理整合于步骤d)中用于强 化接合介面之一热处理。 30.如申请专利范围第21至24项中任一项之方法,其 特征在于该第三热处理系该方法之一补充步骤。 31.如申请专利范围第16至24项中任一项之方法,其 特征在于该预定限制系以每单位表面积之滑线数 表示。 32.如申请专利范围第16至24项中任一项之方法,其 特征在于该源基板系自单晶矽形成。 33.一种用于微电子、光电及光学之基板,其包含一 在一支撑层10上之薄半导体层22,其特征在于该支 撑层系自一半导体材料产生,该半导体材料包含一 获自沉淀氧Oi之受控量之氧沉淀物,该受控量之氧 沉淀物系选择为欲使该基板后续所暴露之热条件 之一函数,使得该氧沉淀物赋予该支撑层所欲防止 该等条件下之滑线产生。 34.如申请专利范围第33项之用于微电子、光电及 光学之基板,其特征在于该支撑层系由矽构成,该 矽系由CZ、MCZ类型等之拉锭方法获得。 35.如申请专利范围第34项之用于微电子、光电及 光学之基板,其特征在于该支撑层中空隙氧Oi之浓 度范围自约12至14新ppma。 36.如申请专利范围第33至35项中任一项之用于微电 子、光电及光学之基板,其特征在于该薄层22系藉 由分子接合而接合至该支撑层。 37.如申请专利范围第33至35项中任一项之用于微电 子、光电及光学之基板,其特征在于该薄层系自单 晶矽形成。 38.如申请专利范围第33至35项中任一项之用于微电 子、光电及光学之基板,其特征在于其亦包含一介 于该支撑层10与该薄层22间之氧化层30。 图式简单说明: 图1系依本发明之制造基板方法中主要步骤图; 图2A-2F系方法实施期间材料不同状态之图解剖面; 图3显示传统Smartcut型方法中既有之多种热处理 方式,可用于属于一系列用以沉淀氧Oi之热处理中 之至少一热处理之整合实施。 |
