用以防止混浊之相移光罩

摘要

本发明揭示一种相移光罩。混浊为晶圆制程之光微影步骤期间光罩表面的一种生长缺陷，而残余离子被视为混浊出现的一种因素，控制残余离子以便改变相移光罩表面的含量。在光罩湿洗处理期间抑制残余离子进入光罩表面之扩散以防止混浊。

主权项

1.一种相移光罩,其包含: 一透明基板; 一于该透明基板上图案化之作为一相移膜之防光 膜(MoSiON);及 一由于该防光膜之热处理而形成于该防光膜(MoSiON )之一表面上的氧化物膜。 2.如请求项1之相移光罩,其中该热处理系在氧气环 境中进行。 3.如请求项1之相移光罩,其中该热处理系在包括一 或多种选自由N2、Ar、O2及He气体组成之群之气体 环境中进行。 4.如请求项1之相移光罩,其中该热处理系在一电热 炉或在一对流烘箱中进行。 5.如请求项1之相移光罩,其中该热处理系在50-1000 ℃下进行5分钟至5小时。 6.如请求项1之相移光罩,其中该防光膜(MoSiON)经热 处理以使Si扩散至该防光膜(MoSiON)之表面且从而减 少Mo之含量。 图式简单说明: 图1说明一种相移光罩,其中习知防光膜(MoSiON)经图 案化; 图2为展示习知防光膜(MoSiON)之AUGER分析结果之曲 线图; 图3说明一种相移光罩,其中防光膜(MoSiON)根据本发 明经热处理;且 图4为展示本发明经热处理之防光膜(MoSiON)之AUGER 分析结果之曲线图。