清洗与乾燥基底的方法及其装置

摘要

本发明提供一种藉由将基底(例如半导体晶圆)渗入清洗液(例如清洗化学药品或漂洗液(ringing liquids))并且之后乾燥基底来清洗基底的装置与方法。本发明的基底清洗与乾燥装置包括处理室，处理室包括用以装载清洗液并且在底部排出清洗液的清洗室以及在清洗室上方的乾燥室。处理器更包括用以从乾燥室中排出供应至乾燥室中的空气的排放装置。排放装置置于清洗室与乾燥室之间，并且藉由压迫排出气体以致于气体在乾燥室中垂直地向下流动。本发明的基底清洗与乾燥装置会在乾燥室中在基底的表面上产生适当垂直与均匀的气体流动，并且快速地从乾燥室中排出气体，由此增加乾燥程序的效率。

主权项

1.一种基底清洗与乾燥装置,其包括: 一清洗室,其用以完成清洗基底的程序; 一乾燥室,其用以完成乾燥该基底的程序,其中该 乾燥室是位于该清洗室的上方; 一搬移装置,其用以在该清洗室与该乾燥室之间搬 移该基底; 一气体供应器,其置于该乾燥室中并用以供应用于 乾燥该基底的一气体;以及 一排放装置,其置于该清洗室与该乾燥室之间,该 排放装置用以强制地从该乾燥室排出该气体以致 于该气体在该乾燥室中垂直地向下流动。 2.如申请专利范围第1项所述之基底清洗与乾燥装 置,其中该排放装置包括一排放区块,而多数个排 放孔建构在该排放区块的一上表面并且多数个内 部通道连接至该些排放孔。 3.如申请专利范围第1项所述之基底清洗与乾燥装 置,其中该排放装置包括一排放区块,而多数个排 放孔建构在该排放区块的一上表面与一底部表面 并且多数个内部通道连接至该些排放孔。 4.如申请专利范围第1项所述之基底清洗与乾燥装 置,其中该排放装置包括具有一排放区块I与一排 放区块II的两个可分离排放区块,其为彼此对称,其 中多数个排放孔建构在该排放区块I与该排放区块 II的一上表面并且多数个内部通道连接至该些排 放孔。 5.如申请专利范围第4项所述之基底清洗与乾燥装 置,其中多数个排放孔建构在该排放区块I与该排 放区块II的一底部与侧表面。 6.如申请专利范围第4项所述之基底清洗与乾燥装 置,更包括: 一促动器,其用以配置该排放区块I与该排放区块II 于一排放位置或一备用位置,其中当该排放区块是 在该排放位置时则该气体会从该乾燥室中经由该 排放装置强制地排出以致于该气体在乾燥室中向 下垂直地流动,并且当该排放区块I与II是在该备用 位置时则该基底会在该清洗室与该乾燥室之间搬 移。 7.如申请专利范围第6项所述之基底清洗与乾燥装 置,其中该促动器包括一滑动器,其用以以一相反 方向水平地滑动该排放区块I与II,并且该乾燥室更 包括备用室,其建构在该乾燥室的底部两侧,在藉 由该滑动器滑动该排放区块I与该排放区块II之后, 在该备用室中该排放区块I与该排放区块II会放置 于一备用位置。 8.如申请专利范围第6项所述之基底清洗与乾燥装 置,其中该促动器包括: 一升降机,其用以吊起或放下该排放区块I与II的一 第一终端,其中该第一终端是靠近该乾燥室的侧壁 ;以及 一水平引导器,其用以在该排放区块I与II的第一终 端由该升降机吊起或放下的同时引导该排放区块I 与II的一第二终端作水平移动,由此在该乾燥室的 狭小空间内将该排放区块I与II从一水平位置改变 成靠近该乾燥室侧壁的一垂直位置以及从靠近该 乾燥室侧壁的该垂直位置改变成该水平位置。 9.如申请专利范围第6项所述之基底清洗与乾燥装 置,其中该排放区块I与II可藉由该促动器转动该排 放区块的一终端。 10.如申请专利范围第6项所述之基底清洗与乾燥装 置,其中该排放区块I与II是放置于彼此分离的位置 以致于在该清洗室与该乾燥室中的压力能保持相 同。 11.如申请专利范围第5项所述之基底清洗与乾燥装 置,其中该排放装置更包括: 排放管,其经过该侧表面连接至每个该些内部通道 ; 一真空泵,其安装在该排放管上;以及 一控制器,其用以控制该真空泵以便控制该清洗室 与该乾燥室的压力。 12.如申请专利范围第5项所述之基底清洗与乾燥装 置,其中该排放孔的尺寸在该乾燥室的中央是最大 并且越往该乾燥室的外侧逐渐变小。 13.一种基底清洗与乾燥方法,其包括: 移动基底至一乾燥室; 将移动至该乾燥室的该基底搬移至一清洗室,该清 洗室是配置于该乾燥室的下方; 在该清洗室中清洗该基底; 将已清洗的该基底搬移至该乾燥室中;以及 藉由在该乾燥室中供应一气体来乾燥该基底,乾燥 该基底包括: 经由该乾燥室的上方供应该气体以致于该气体在 该乾燥室中向下流动以乾燥该基底,并且同步地在 该乾燥室中的底部经由该排放区块I与II强制地排 出该气体。 14.如申请专利范围第13项所述之基底清洗与乾燥 方法,其中乾燥该基底包括: 经由注入喷嘴供应该气体至该基底,该些注入喷嘴 是建构在该乾燥室的顶部;以及 经由建构在该排放区块I与II的上表面的排放孔来 排出该气体,而该排放区块I与II是放置于该基底的 下方并且是面对该注入喷嘴。 15.如申请专利范围第14项所述之基底清洗与乾燥 方法,其中乾燥该基底包括经由该排放区块I与II从 该乾燥室中强制地排出该气体以致于乾燥程序会 在大气压力条件下发生。 16.如申请专利范围第14项所述之基底清洗与乾燥 方法,其中乾燥该基底包括以彼此分离方式配置该 排放区块I与该排放区块II,其在该排放区块I与该 排放区块II之间形成一间隔以致于在该清洗室与 该乾燥室中的压力可保持相同。 17.如申请专利范围第14项所述之基底清洗与乾燥 方法,其中乾燥该基底包括控制该乾燥室的压力, 其中压力是在该乾燥室中所量测,并且安装在该排 放区块I与II上的一真空泵会根据所量测的压力来 运作以致于可如预期的控制该乾燥室的压力。 图式简单说明: 图1是根据本发明范例实施例绘示基底清洗与乾燥 装置的剖面图。 图2是绘示图1处理室的透视图。 图3A是绘示在处理室中正被清洗的晶圆的剖面图 。 图3B是绘示在处理室中正被乾燥的晶圆的剖面图 。 图4A是与图4B是绘示排放区块I与排放区块II的排放 位置的剖面图。 图5与图6是绘示具有不同排放装置的处理室的剖 面图。 图7是根据本发明绘示用以清洗与乾燥基底的方法 的流程图。