| 主权项 |
1.一种光学系统,包含: 一光源,其用于产生一具有一指定波长之光束; 一目标物件,自该光源产生之该光束照射于其上; 一位于该光源与该目标物件之间的一光径内之光 束成形器,该光束成形器将该光束分裂成复数个部 分光束;及 一位于该光源与该目标物件之间的该光径内之偏 极化控制器,该偏极化控制器控制该等复数个部分 光束之偏极化状态。 2.如请求项1之光学系统,其中该光束成形器包含一 自然数n个部分区域。 3.如请求项2之光学系统,其中该光束成形器之每一 该等部分区域包括一自然数m个从属区域,该等从 属区域根据其在该光束成形器中之位置而具有不 同厚度以将该光束分裂成该复数个部分光束。 4.如请求项3之光学系统,其中该偏极化控制器包含 nm个从属偏极化图案,第i部分区域(1≦i≦n)之第j 从属区域及第k部分区域(k≠i且1≦k≦n)之第j从属 区域中之偏极化图案输出一相同偏极化状态。 5.如请求项4之光学系统,其中第i部分区域(1≦i≦n) 之第j从属区域及第k部分区域(k≠i且1≦k≦n)之第j 从属区域中之偏极化图案为相同方向之条状图案 。 6.如请求项3之光学系统,其中每一该等从属区域具 有一第一厚度及一大于该第一厚度之第二厚度中 之一者。 7.如请求项1之光学系统,其中该光束成形器为一绕 射光学元件(DOE)或一全息光学元件(HOE)。 8.如请求项1之光学系统,其中该偏极化控制器包含 配置于一指定方向之复数个条状图案。 9.如请求项8之光学系统,其中该等复数个条状图案 之间的一间距可为该光束波长之大约0.2至1.5倍,且 每一条状图案之一宽度可为该等条状图案之间的 该间距之0.2至0.8倍。 10.如请求项8之光学系统,其中每一该等条状图案 之一厚度大约为10 nm至200 nm。 11.如请求项8之光学系统,其中该等条状图案由一 具有一大约在1.3与2.5之间的实际折射率及一大约 在0与0.2之间的消光系数之材料所制造。 12.如请求行8之光学系统,其中用于该等条状图案 之该材料选自由SiN、SiON及光阻组成之群。 13.如请求项1之光学系统,进一步包含: 一光传递系统,其用于将自该光源产生之该光束传 递至该目标物件。 14.如请求项1之光学系统,其中该目标物件为一具 有指定电路图案之光罩,用于制造一形成于其上之 半导体装置。 15.如请求项1之光学系统,其中该偏极化控制器位 于该光束成形器之一表面上。 16.如请求项1之光学系统,其中该光束成形器及该 偏极化控制器为单独元件。 17.如请求项16之光学系统,其中该光束成形器安置 于该光源与该偏极化控制器之间,或该偏极化控制 器与该目标物件之间。 18.一种用于形成一光学系统之方法,包含: 制作一用于将自一光源产生之具有一指定波长之 一光束分裂成至少一部分光束之光束成形器;及 制作一用于控制该至少一部分光束之偏极化状态 之偏极化器。 19.如请求项18之方法,其中制作该光束成形器之步 骤包含: 制备一具有一自然数n个部分区域之透明基板,其 中每一该等部分区域可包括一自然数m个从属区域 ;及 根据位置将该基板图案化成该等从属区域之不同 厚度,从而形成用于输出具有一指定外形之该光束 之绕射光学图案。 20.如请求项19之方法,其中制作该偏极化器之步骤 包含: 形成在该光束成形器之每一该等部分区域之相同 从属区域内提供相同偏极化状态之偏极化图案。 21.如请求项18之方法,其中制作该偏极化器之步骤 包含: 在该光束成形器之一表面上一指定方向形成偏极 化图案。 22.如请求项18之方法,其中制作该偏极化器之步骤 包含: 在与该光束成形器分离之一表面上一指定方向形 成偏极化图案。 23.一种用于制造一半导体装置之方法,该方法包含 : 产生一具有一指定波长之光束; 将该光束分裂成复数个彼此具有不同偏极化状态 之部分光束;及 使用该复数个具有彼此不同偏极化状态之部分光 束来曝光一涂布于一半导体基板上之光阻层。 图式简单说明: 图1及图2为展示半导体曝光技术发展之曲线图; 图3A及图3B为展示NA与偏极化光之影像对比度之间 关系之曲线图; 图4说明不同方向图案之一部分之平面图; 图5说明根据本发明一实施例之曝光装置之示意图 ; 图6A至图6G说明具有不同空间外形之光束; 图7A为可用作光束成形元件之全息图之平面图; 图7B说明藉由使用图7A所示之全息图案成之光束之 空间强度分布; 图8A至图8C说明根据本发明之第一实施例之偏极化 控制器之示意图; 图9A及9B说明根据本发明之第二实施例之偏极化控 制器之示意图; 图10说明根据本发明之第三实施例之偏极化控制 器之示意性平面图; 图11说明根据本发明之第四实施例之偏极化控制 器之示意性透视图。 |
