| 主权项 |
1.一种母基材上的可移除系统,其藉由包含以下步 骤之方法所制设: 在一母基材上沈积一高表面积对体积比的牺牲层; 藉着a)除掉该牺牲层中及其上的挥发化学物质,及/ 或b)修正该层的表面,而来稳定化该牺牲层; 以一覆盖介质来覆盖该牺牲层; 在该覆盖介质上来制造一系统; 形成贯孔来通达该牺牲层;及 除去该牺牲层来释开该系统。 2.如申请专利范围第1项之母基材上的可移除系统, 其中该高表面体积比的材料系为一柱状孔隙膜或 微球等。 3.如申请专利范围第2项之母基材上的可移除系统, 其中该柱状孔隙膜系选自于由下列材料所构成的 组群:矽、氧化矽、锗、氧化锗、及可选择地含有 氢、氯、或氟的矽合金。 4.如申请专利范围第1项之母基材上的可移除系统, 其中该稳定化步骤包含由该牺牲层除去氢,藉部份 氧化及/或氮化来修正该牺牲层表面;而该覆盖步 骤包含将一包含有SiO2及Si3N4之叠膜结构的覆盖介 质覆设在该牺牲层上。 5.如申请专利范围第1项之母基材上的可移除系统, 其更包含在该制造步骤之后,来将一聚合物、玻璃 、有机物、塑胶、半导体、石英、氧化物、氮化 物、绝缘体、导体、金属、或陶瓷顶层布设于该 系统上来形成一包封系统的步骤。 6.如申请专利范围第5项之母基材上的可移除系统, 其中通达该牺牲层的贯孔等系被设成贯穿该顶层 、系统、覆盖层、及/或母基材。 7.如申请专利范围第1项之母基材上的可移除系统, 其中该母基材含有贯孔等可通达该牺牲层。 8.如申请专利范围第7项之母基材上的可移除系统, 其中在母基材内的贯孔等会在该基材平面中形成 一网路,或贯穿该基材的厚度。 9.如申请专利范围第1项之母基材上的可移除系统, 其在该制造步骤之后,更包含调整该系统的曝露表 面以加强一顶层对该系统表面的连接之步骤。 10.如申请专利范围第1项之母基材上的可移除系统 ,其在该制造步骤之后,更包含以下步骤: 在该系统上敷设一聚合物层来形成一包封系统; 调整该聚合物顶层的曝露表面以加强连接;及 于该经调整的聚合物表面上覆设聚合物、玻璃、 有机物、塑胶、半导体、石英、氧化物、氮化物 、绝缘体、导体、金属或陶瓷顶层。 11.一种母基材上的可移除系统,其藉由包含以下步 骤之方法所制设: 在一母基材上沈积一高表面积对体积比的牺牲层; 藉着a)除掉该牺牲层中及其上的挥发化学物质,及/ 或b)修正该层的表面,而来稳定化该牺牲层; 以一覆盖介质来覆盖该牺牲层; 在该覆盖介质上来制造一系统; 形成贯孔来通达该牺牲层; 除去该牺牲层来释开该系统;及 将该系统黏接于一永久基材, 其中该永久基材系为挠性的。 12.如申请专利范围第11项之母基材上的可移除系 统,其中该高表面体积比的材料系为一柱状孔隙膜 或微球等。 13.如申请专利范围第12项之母基材上的可移除系 统,其中该柱状孔隙膜系选自于由下列材料所构成 的组群:矽、氧化矽、锗、氧化锗、及可选择地含 有氢、氯、或氟的矽合金。 14.如申请专利范围第11项之母基材上的可移除系 统,其中该稳定化步骤包含由该牺牲层除去氢,藉 部份氧化及/或氮化来修正该牺牲层表面;而该覆 盖步骤包含将一包含有SiO2及Si3N4之叠膜结构的覆 盖介质覆设在该牺牲层上。 15.如申请专利范围第11项之母基材上的可移除系 统,其更包含在该制造步骤之后,来将一聚合物、 玻璃、有机物、塑胶、半导体、石英、氧化物、 氮化物、绝缘体、导体、金属、或陶瓷顶层布设 于该系统上来形成一包封系统的步骤。 16.如申请专利范围第15项之母基材上的可移除系 统,其中通达该牺牲层的贯孔等系被设成贯穿该顶 层、系统、覆盖层、及/或母基材。 17.如申请专利范围第11项之母基材上的可移除系 统,其中该母基材含有贯孔等可通达该牺牲层。 18.如申请专利范围第17项之母基材上的可移除系 统,其中在母基材内的贯孔等会在该基材平面中形 成一网路,或贯穿该基材的厚度。 19.如申请专利范围第11项之母基材上的可移除系 统,其在该制造步骤之后,更包含调整该系统的曝 露表面以加强一顶层对该系统表面的连接之步骤 。 20.如申请专利范围第11项之母基材上的可移除系 统,其在该制造步骤之后,更包含以下步骤: 在该系统上敷设一聚合物层来形成一包封系统; 调整该聚合物顶层的曝露表面以加强连接;及 于该经调整的聚合物表面上覆设聚合物、玻璃、 有机物、塑胶、半导体、石英、氧化物、氮化物 、绝缘体、导体、金属或陶瓷顶层。 21.一种制设一可移除系统的方法,包含以下步骤: 在一母基材上形成一高表面积对体积比的牺牲层; 稳定化该牺牲层; 在该牺牲层上形成一覆盖介质; 在该覆盖介质上来制造一元件; 在该覆盖介质中形成孔来通达该牺牲层;及除去该 牺牲层来释开该系统。 22.如申请专利范围第21项之方法,其中该稳定化步 骤包含除掉该牺牲层中及其上的挥发化学物质。 23.如申请专利范围第21项之方法,其中该稳定化步 骤包含藉部份氧化及/或氮化过程来修正该牺牲层 表面。 24.如申请专利范围第21项之方法,其中该高表面积 对体积比的牺牲层包含柱状孔隙膜、奈米球体、 微球与分子其中至少一种。 25.如申请专利范围第21项之方法,其中该元件系选 自于由下列所构成的组群:电晶体、二极体、电子 元件、化学元件、生物元件、生化元件、流体元 件、微机电元件、感测器、燃料电池、光电元件 、光生伏打电池、光学构件、微电子元件、显示 器、电路板系统及其组合物。 26.如申请专利范围第21项之方法,其更包含以一覆 盖介质来覆设在该牺牲层上。 图式简单说明: 第1图示出以一适当的涂层技术在一硬层且平滑表 面的母基材上沈积一牺牲层; 第2图示出在牺牲层上覆设一覆盖层; 第3图示出在该覆盖层上制成一功能系统; 第4图示出蚀刻出包围该等功能系统构件的沟槽深 入至该第一牺牲层,并藉习知技术例如顶面削除( lift-off)法来以第二牺牲材料填满该等沟槽; 第5a(截面)图及5b(顶视)图乃示出一聚合物层的覆 设及贯孔的形成; 第6a(截面)图及6b(顶视)图乃示出第二牺牲材料被 去除; 第7图示出该牺牲层被去除而在一聚合物基材上制 成一系统如第8图所示; 第8a图为本发明之分离系统的一例; 第8b图示出一实际的分离系统。在本例中,TFTs元件 系具有一挠性的塑胶最终基材; 第9图示出本发明用来制成一“智慧电路板"的应 用,其含有例如光学、光电子及电子元件等各种构 件; 第10(a)图示出一凹沟图案设在一硬质且光滑的基 板(母基板)上,例如矽片、石英、熔凝的二氧化矽 、金属、片材,或玻璃板上; 第10(b)图示出牺牲层的沈积,其最好系以一不均一 的薄膜涂层来形成; 第10(c)图示出完成的牺牲层,并示出该凹沟图案变 成封闭的微通道结构; 第10(d)图示出一覆盖材料的沈积,其可保护该牺牲 层及系统元件,以免遭受在释离处理时底下之释离 层产生的化学反应所影响; 第10(e)图示出在该母基材上之通道结构的覆盖层 上来制成习知的系统元件; 第10(f)图示出使用旋涂法、CVD法、喷涂法、或任 何其它适当的技术,来沈积或涂设一聚合物(塑胶) 膜; 第10(g)图示出该系统包括该塑胶膜的释离(分开), 其系将适当的化学或反应气体供入经由该等微通 道牺牲地溶解该释离层而来完成; 第11a图为一种被沈积的分离层材料之实例,其能符 合表一的所有要件,该层为一沈积的柱孔矽材料。 此材料会被用来作为制成第8b图之分离系统的分 离层; 第11b图为一沈积分离层的实例,其系由共价结合于 基材的二氧化矽奈米微粒所形成; 第12图示出本发明使用微粒来作为牺牲层的方法; 第13a与13b图示出使用微粒来作为牺牲层的方法,其 中该母基材含有通道式贯孔以接近该牺牲层; 第14图示出所沈积的柱状孔隙网路矽; 第15图为该薄膜在覆盖及高温处理后的状况,示出 该薄膜仍保有其某些结构质地和多孔性。 |
