发明名称 |
一种方镁石-碳化硅-碳复合材料及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种方镁石—碳化硅—碳复合材料及其制备方法。其技术方案是:按重量百分含量将60~90%的电熔或烧结镁砂、5~35%的碳化硅、2~15%的石墨、0.5~5%的碳黑、0.5~6%的添加剂混合,外加上述混合物重量3~9%的结合剂和0~1%的六次甲基四胺为固化剂,经搅拌混合后压制成型,然后在150~350℃下烘烤2~24小时。本发明所制备的复合材料既具有高熔点又具有较高的导热率,采用碳化硅、石墨和碳黑相结合的方式大大提高了材料的抗氧化性和抗冶金熔渣、金属熔体的渗透性和侵蚀性,同时可以降低碳复合耐火材料对钢水碳含量的影响,因而可广泛用作冶金炉及容器的内衬。 |
申请公布号 |
CN100369865C |
申请公布日期 |
2008.02.20 |
申请号 |
CN200610019553.7 |
申请日期 |
2006.07.06 |
申请人 |
武汉科技大学 |
发明人 |
李楠;魏耀武 |
分类号 |
C04B35/66(2006.01);C04B35/04(2006.01);C04B35/622(2006.01) |
主分类号 |
C04B35/66(2006.01) |
代理机构 |
武汉开元专利代理有限责任公司 |
代理人 |
樊戎 |
主权项 |
1.一种方镁石-碳化硅-碳复合材料的制备方法,其特征在于按重量百分含量将60~90%的电熔或烧结镁砂、5~35%的碳化硅、2~15%的石墨、0.5~5%的碳黑、0.5~6%的添加剂混合,外加上述混合物重量3~9%的结合剂和0~1%的六次甲基四胺为固化剂,经搅拌混合后压制成型,然后在150~350℃下烘烤2~24小时。 |
地址 |
430081湖北省武汉市青山区建设一路 |