| 发明名称 | 可调控的去除阻隔物的抛光浆料 | ||
| 摘要 | 一种用来对半导体基材进行化学机械平坦化的水性浆料。所述浆液包括按重量百分数计0.1-25的氧化剂、0.1-20的平均粒径小于200nm的二氧化硅颗粒、0.005-0.8的用于包覆二氧化硅颗粒的聚乙烯基吡咯烷酮、0.01-10的抑制剂、0.001-10的络合剂和余量的水以及随附杂质，所述水性浆料的pH至少为7。 | ||
| 申请公布号 | CN100369998C | 申请公布日期 | 2008.02.20 |
| 申请号 | CN200480005290.3 | 申请日期 | 2004.02.23 |
| 申请人 | 罗门哈斯电子材料CMP控股股份有限公司 | 发明人 | 葉倩萩;M·R·范哈内亨;J·匡茨 |
| 分类号 | C09G1/02(2006.01);C09K3/14(2006.01);H01L21/306(2006.01);H01L21/304(2006.01) | 主分类号 | C09G1/02(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 朱黎明 |
| 主权项 | 1.一种用来对半导体基材进行化学机械平坦化的水性浆料，包括，按重量百分数计，0.1-25的氧化剂、0.1-20的平均粒径小于200nm的二氧化硅颗粒、0.005-0.8的用于包覆二氧化硅颗粒的聚乙烯基吡咯烷酮、0.01-10的用于降低至少一种有色金属去除率的抑制剂、0.001-10的有色金属络合剂和余量的水以及附带的杂质；所述水性浆料的pH至少为7。 | ||
| 地址 | 美国特拉华州 | ||