| 发明名称 | 隧道磁电阻效应元件、其测试方法与装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种用于测试TMR元件的方法，该方法包括：测量步骤，通过将具有彼此不同电流值的多个感测电流馈送通过TMR元件来测量TMR元件的多个电阻；计算步骤，由所测TMR效应元件的多个电阻计算电阻变化率；和评估步骤，使用计算出的电阻变化率对TMR元件进行评估。 | ||
| 申请公布号 | CN100370522C | 申请公布日期 | 2008.02.20 |
| 申请号 | CN200510078965.3 | 申请日期 | 2005.06.21 |
| 申请人 | TDK株式会社;新科实业有限公司 | 发明人 | 蜂须贺望;稻毛健治;高桥法男;清水达司;黃柏坚 |
| 分类号 | G11B5/455(2006.01);G11B5/39(2006.01);H01L43/12(2006.01) | 主分类号 | G11B5/455(2006.01) |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 李德山 |
| 主权项 | 1.一种用于测试隧道磁电阻效应元件的方法，包括：测量步骤，通过将具有彼此不同电流值的多个感测电流馈送通过所述隧道磁电阻效应元件来测量所述隧道磁电阻效应元件的多个电阻；计算步骤，由所测所述隧道磁电阻效应元件的多个电阻计算电阻变化率；和评估步骤，使用计算出的电阻变化率对所述隧道磁电阻效应元件进行评估。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||