| 发明名称 | 减小STI边缘漏电的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种减小STI边缘漏电的方法，在STI化学机械抛光后，采用干法刻蚀取代了原工艺中的湿法刻蚀，利用此步干法刻蚀对二氧化硅对氮化硅刻蚀的高选择比，以及干法刻蚀的微负载效应，使得在STI边缘的区域的场氧化硅比其他区域稍厚，形成一个小型侧墙，从而起到有效防止STI边缘小角形成的作用，达到改善STI边缘漏电的效果。 | ||
| 申请公布号 | CN101127319A | 申请公布日期 | 2008.02.20 |
| 申请号 | CN200610030102.3 | 申请日期 | 2006.08.15 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 周贯宇;吕煜坤;钱文生 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01) | 主分类号 | H01L21/762(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 顾继光 |
| 主权项 | 1.一种减小STI边缘漏电的方法，包括如下步骤：第一步，STI高密度等离子体场氧生长；第二步，STI化学机械抛光；第三步，刻蚀；第四步，STI氮化硅去除，其特征在于，第三步为干法刻蚀。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||