降低非易失性存储器存储元件间耦合效应的方法

摘要

一种带有一列存储器单元的非易失性存储器系统，每一个存储器单元都有至少一个存储元件，该系统在每一个存储器元件多个存储等级下被操作。一种快擦写电可擦可编程只读存储器(EEPROM)是一个实例，其中的存储元件是电浮栅。该存储器减小了由于相邻浮栅之间耦合的电荷的影响，这是通过在相邻单元被编程之后对某些单元进行第二次编程来实现的。第二次编程步骤还在至少部分编程状态中压缩电荷等级分布。这样就提高了状态之间的分隔和/或允许在给定存储窗口中包括更多的状态。本发明所描述的具体实现形式是一种NAND型的快擦写EEPROM。

主权项

1.一种用于存储数据的非易失性存储器，其包括：在集成电路芯片上的电荷存储元件的阵列，其特征在于，存储在一部分存储元件中的电荷的值由于至少在存储元件之间耦合的电场而影响从其它存储元件读出的值，以及在所述集成电路芯片上的编程电路，将作为第一组存储值的第一组数据写入第一组存储元件中，然后将作为第二组存储值的第二组数据写入第二组存储元件中，其中，由于在它们之间耦合的电场，至少一部分第二组存储值会影响从至少一部分第一组存储元件所读出的值，然后改变第一组存储值，以便抵消至少由于在它们之间耦合的电场所引起的第二组存储值对从第一组存储元件中所读出的值的影响。