发明名称 扩散连接三元层状陶瓷铝碳化钛工艺
摘要 本发明涉及陶瓷连接技术,具体为一种三元层状陶瓷Ti<SUB>3</SUB>AlC<SUB>2</SUB>扩散连接新工艺。该工艺的特点是界面生成耐高温的Ti<SUB>3</SUB>Al(Si)C<SUB>2</SUB>固溶体,无脆性相生成,解决了三元层状陶瓷Ti<SUB>3</SUB>AlC<SUB>2</SUB>连接质量不高的技术问题。在待焊三元层状陶瓷Ti<SUB>3</SUB>AlC<SUB>2</SUB>表面溅射单质Si,其厚度在4-10μm之间,组成Ti<SUB>3</SUB>AlC<SUB>2</SUB>/Si/Ti<SUB>3</SUB>AlC<SUB>2</SUB>三明治结构。将试件置于热压炉内,在氩气保护下扩散连接。工艺条件如下:焊接温度为1300-1400℃、焊接压力为2-5MPa、焊接时间120-240min。利用本发明提供的方法得到的扩散焊接接头,界面没有新的反应相生成,避免新的脆性相对接头强度的影响,接头弯曲强度可达到Ti<SUB>3</SUB>AlC<SUB>2</SUB>陶瓷强度的80%,而且此强度可保持到1000℃,可以满足实际应用的需要,从而扩大了Ti<SUB>3</SUB>AlC<SUB>2</SUB>陶瓷的应用范围。
申请公布号 CN101125759A 申请公布日期 2008.02.20
申请号 CN200610047487.4 申请日期 2006.08.18
申请人 中国科学院金属研究所 发明人 李美栓;尹孝辉;周延春
分类号 C04B37/00(2006.01);B32B18/00(2006.01) 主分类号 C04B37/00(2006.01)
代理机构 沈阳科苑专利商标代理有限公司 代理人 张志伟
主权项 1.一种扩散连接三元层状陶瓷铝碳化钛工艺,其特征在于包括下述工艺步骤:(1)以Si为中间层,上下两层为Ti3AlC2陶瓷,在热压炉内、氩气保护下,在温度为1300-1400℃、压力为2-5MPa下恒压保温120-240min,连接Ti3AlC2 陶瓷;(2)随炉冷却至1100-1200℃后卸载。
地址 110016辽宁省沈阳市沈河区文化路72号
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