| 发明名称 | 快闪存储器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及快闪存储器件及其制造方法。所述方法包括如下步骤：在半导体衬底的周边区域上形成栅极保护图案；在所述半导体衬底上形成隧道绝缘膜；在相邻的栅极保护图案之间的所述隧道绝缘膜上形成第一导电膜；在所述第一导电膜和所述栅极保护图案上形成介电膜；蚀刻所述周边区域中的所述介电膜的一部分，以暴露出相邻栅极保护图案之间的所述第一导电膜的一部分；在所述介电膜和所述第一导电膜上形成第二导电膜；和蚀刻所述第二导电膜、所述介电膜、所述第一导电膜、所述隧道绝缘膜和所述栅极保护图案以形成栅极，其中所述栅极保护图案保留在所述周边区域中的所述第一导电膜和所述隧道绝缘膜二者的侧壁上。 | ||
| 申请公布号 | CN101127329A | 申请公布日期 | 2008.02.20 |
| 申请号 | CN200710145274.X | 申请日期 | 2007.08.17 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 黄畴元 |
| 分类号 | H01L21/8247(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L27/115(2006.01);H01L29/788(2006.01);H01L29/423(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8247(2006.01) |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 刘继富;顾晋伟 |
| 主权项 | 1.一种制造快闪存储器件的方法，所述方法包括以下步骤：在半导体衬底的周边区域上形成栅极保护图案；在所述半导体衬底上形成隧道绝缘膜；在相邻的栅极保护图案之间的所述隧道绝缘膜上形成第一导电膜；在所述第一导电膜和所述栅极保护图案上形成介电膜；蚀刻所述周边区域中的所述介电膜的一部分，以暴露出相邻栅极保护图案之间的所述第一导电膜的一部分；在所述介电膜和所述第一导电膜上形成第二导电膜；和蚀刻所述第二导电膜、所述介电膜、所述第一导电膜、所述隧道绝缘膜和所述栅极保护图案以形成栅极，其中所述栅极保护图案保留在所述周边区域中的所述第一导电膜和所述隧道绝缘膜二者的侧壁上。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||