| 发明名称 | 单元晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种与高集成度的DRAM存储器单元有关的单元晶体管的制造方法，该方法改善了单元晶体管的短沟道效应，同时改进了所述晶体管的刷新特性，还能够防止晶体管阈值电压的下降。该方法包括以下步骤：在硅衬底上形成界定器件分离区的器件隔离区；在形成有器件隔离区的衬底上形成阻挡层；在形成有阻挡层的衬底上形成界定栅极形成区的硬掩模；通过构成衬底表面的硅的选择性外延生长，在形成有硬掩模和阻挡层的衬底的表面上形成硅外延层；以及，去除硬掩模。 | ||
| 申请公布号 | CN100370594C | 申请公布日期 | 2008.02.20 |
| 申请号 | CN200510008026.1 | 申请日期 | 2005.02.07 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 郑泰旿 |
| 分类号 | H01L21/76(2006.01);H01L21/8242(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/76(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种单元晶体管的制造方法，包括下列步骤：a)在硅衬底上形成器件隔离区；b)在所述硅衬底上的器件隔离区上形成阻挡层；c)在形成有所述阻挡层的所述衬底上形成界定栅极形成区的硬掩模；d)通过构成所述衬底的表面的硅的选择性外延生长，在形成有所述硬掩模和所述阻挡层的衬底的表面上形成硅外延层；以及e)去除所述硬掩模。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||