发明名称 |
全屏蔽式高压窄脉冲产生装置 |
摘要 |
全屏蔽式高压窄脉冲产生装置,在屏蔽层L1内装有N个相同的充电电阻RN、N个相同的回路充电电阻R(N+1)、R(N+2)——R(N+N)、2N个相同的均压电阻RP、N个相同的电容CN、N个相同的双间隙火化开关SN、一个单间隙火花开关S0和同轴传输件L0。高压电源通过插座XS2给内部电容C充电,触发脉冲通过插座XS1同时将火化开关S触发导通,形成N倍电源电压将火化开关S0过压击穿,通过同轴传输件L0输出ns级的N倍于电源电压的高压脉冲,所述N倍为2-10倍。全屏蔽式结构减少了对外界的电磁干扰,采用同轴传输件L0使得更有利于能量传输,而且性能稳定,安全可靠。 |
申请公布号 |
CN201025701Y |
申请公布日期 |
2008.02.20 |
申请号 |
CN200620028860.7 |
申请日期 |
2006.06.02 |
申请人 |
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
发明人 |
孟范江 |
分类号 |
H03K3/02(2006.01);H03K5/00(2006.01);H02M9/00(2006.01) |
主分类号 |
H03K3/02(2006.01) |
代理机构 |
长春菁华专利商标代理事务所 |
代理人 |
赵炳仁 |
主权项 |
1.全屏蔽式高压窄脉冲产生装置,其特征在于在屏蔽层L1内装有N个相同的充电电阻RN、N个相同的回路充电电阻R(N+1)、R(N+2)--R(N+N)、2N个相同的均压电阻RP、N个相同的电容CN、N个相同的双间隙火化开关SN、一个单间隙火花开关S0和同轴传输件L0;其中N为正整数,本案中N倍为2-10倍;各器件的连接关系:高压电源通过高压电源输入插座XS2与电阻R1相连,火化开关S1的P1极与屏蔽层L1相连并接地,插座XS1与火化开关SN及其对应的电极P相连,每个火化开关SN内装有三个电极P(3N-2)、P(3N-1)、P(3N),最后一级火化开关S0内装有二个电极P01、P02,第1级火化开关S1的P3极与电容C1的一段相连,电容C1的另一端与火化开关S2的电极P4相连,两个均压电阻RP1与RP2并联在火化开关S1的两端,以此类推,最后一级火化开关S0的电极P02与同轴传输件L0相连,同轴传输件L0的芯线的另一端接全屏蔽式高压窄脉冲产生装置的负载,负载的另一端接地。 |
地址 |
130031吉林省长春市东南湖大路16号 |