| 发明名称 | 供给功率调节器和半导体制造装置 | ||
| 摘要 | 在将装填了多个衬底的衬底保持件送入反应炉内进行热处理的半导体制造装置中，具有设置在上述反应炉周围的加热器和调节对上述加热器的供给功率的供给功率调节器，上述供给功率调节器由将交流电源的交流电压变换为与控制信号的频率对应的交流功率并供给上述加热器的功率用IGBT变换器、和将因该IGBT变换器的切换动作而产生的反电动势再生并返回交流电源的再生用IGBT变换器构成。 | ||
| 申请公布号 | CN101128972A | 申请公布日期 | 2008.02.20 |
| 申请号 | CN200680006206.9 | 申请日期 | 2006.04.03 |
| 申请人 | 株式会社国际电气半导体技术服务;株式会社三幸 | 发明人 | 石津秀雄;铃木雅行 |
| 分类号 | H02M5/293(2006.01);H05B3/00(2006.01);G05F1/45(2006.01);H01L21/02(2006.01) | 主分类号 | H02M5/293(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 | 代理人 | 季向冈 |
| 主权项 | 1.一种半导体制造装置，将装填了多个衬底的衬底保持件送入反应炉内进行热处理，其特征在于：具有设置在上述反应炉周围的加热器和调节对上述加热器的供给功率的供给功率调节器，上述供给功率调节器由将交流电源的交流电压变换为与控制信号的频率对应的交流功率并供给上述加热器的功率用IGBT变换器、和将因上述IGBT变换器的切换动作而产生的反电动势再生并返回上述交流电源的再生用IGBT变换器构成。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||