| 发明名称 | 发光元件驱动电路 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种发光元件驱动电路，在高速驱动发光元件的同时，防止因反向电压而破坏元件。恒流源(9)与LED(1)串联连接，与该LED(1)并联形成了由二极管(10)和NMOS晶体管(11)构成的电流路径(B1)。NMOS晶体管(11)为导通状态时的电流路径(B1)整体的电压降，比LED(1)的发光时的正向电压(Vf)小。若NMOS晶体管(11)根据输入信号(IN)成为导通状态，LED(1)的阳极电位就比(Vf)小，使LED(1)熄灭。 | ||
| 申请公布号 | CN100370631C | 申请公布日期 | 2008.02.20 |
| 申请号 | CN200510064011.7 | 申请日期 | 2005.04.05 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 铃永浩;生井敦;小林博文 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01);H05B37/00(2006.01) | 主分类号 | H01L33/00(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 黄剑锋 |
| 主权项 | 1.一种发光元件驱动电路，其特征在于，具有：电流供给部，与发光元件串联连接，向上述发光元件供给电流；以及开关部，进行切换控制，切换由上述电流供给部向上述发光元件供给电流的供给状态；上述开关部与上述发光元件并联连接，且具有由二极管和半导体开关元件构成的电流路径，所述二极管将从上述发光元件的阳极朝着阴极的方向作为正向进行连接，所述半导体开关元件与上述二极管串联连接，基于控制信号切换导通状态和非导通状态；上述半导体开关元件成为导通状态时的上述电流路径的电压降，比上述发光元件的发光时的正向电压小。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||