CMOS硅双光电探测器及其制备方法

摘要

CMOS硅双光电探测器及其制备方法，涉及一种光电集成电路，尤其是涉及一种CMOS硅双光电探测器。提供一种与商业CMOS工业完全兼容的CMOS硅双光电探测器及其制备方法。设有P型硅衬底、N阱、P阱、P型重掺杂硅、N型重掺杂硅、金属铝、场氧层、SiO₂绝缘介质层(按制备顺序从下至上共3层)和Si₃N₄表面钝化层，其中P型硅衬底、N阱、P阱、P型重掺杂硅和N型重掺杂硅设于同一硅片材料上，场氧层为对硅片进行氧化在硅片表面生成的氧化硅，金属铝为通过溅射工艺沉积在硅片表面SiO₂绝缘介质层通过沉积工艺附着在硅衬底上、Si₃N₄表面钝化层通过沉积工艺附着在SiO₂绝缘介质层上。

主权项

1.CMOS硅双光电探测器，其特征在于设有P型硅衬底、N阱、P阱、P型重掺杂硅、N型重掺杂硅、金属铝、场氧层、SiO2绝缘介质层和Si3N4表面钝化层，其中P型硅衬底、N阱、P阱、P型重掺杂硅和N型重掺杂硅设于同一硅片材料上，场氧层为对硅片进行氧化在硅片表面生成的氧化硅，金属铝为通过溅射工艺沉积在硅片表面，按制备顺序从下至上共3层SiO2绝缘介质层通过沉积工艺附着在硅衬底上、Si3N4表面钝化层通过沉积工艺附着在SiO2 绝缘介质层上；所述的P型硅衬底、N阱、P阱、P型重掺杂硅、N型重掺杂硅、金属铝、场氧层、SiO2 绝缘介质层和Si3N4表面钝化层的纵向结构自下而上依次是：第一层是低掺杂的P型硅衬底；第二层是N阱和P阱；第三层是Ｎ型重掺杂硅、P型重掺杂硅、场氧层、金属铝；第四层到第六层为三层的SiO2绝缘介质层；第七层是Si3N4表面钝化层；所述的P型硅衬底、N阱、P阱、P型重掺杂硅、N型重掺杂硅、金属铝、场氧层、SiO2 绝缘介质层和Si3N4表面钝化层的横向结构以N阱为中心对称分布，N阱中心的上表面是P型重掺杂硅，距离N阱边缘不小于0.4μm的N阱上表面为N型重掺杂硅，宽度不小于0.8μm；N阱上表面的P型重掺杂硅和N型重掺杂硅由场氧层隔开，宽度不小于1μm；在N阱外围是P阱，距离N阱不小于0.8μm的P阱上表面为P型重掺杂硅，宽度不小于1.1μm；N阱上表面的N型重掺杂硅和P阱上表面的P型重掺杂硅由场氧层隔开，宽度不小于1.2μm；P阱上表面其他部分为场氧层；金属铝附着在各个N型重掺杂硅和P型重掺杂硅上，其中N阱上表面P型重掺杂硅上的金属铝分布在其周边靠近场氧层。