| 发明名称 | 光接收器件、内置电路型光接收装置及光盘装置 | ||
| 摘要 | 一层第一P型扩散层(101)和一层P型半导体层(102)设置在一个硅衬底(100)上，并且两层N型扩散层(103、103)设置在该P型半导体层(102)的正面上，以便形成两个光接收装置。三层透光性膜、一层第一二氧化硅膜(105)、一层氮化硅膜(106)、以及一层第二二氧化硅膜(107)设置在N型扩散层(103、103)上以及两扩散层(103、103)之间的P型半导体层(102)上。在制造工艺期间产生且分散和俘获到三层透光性膜之间的两个界面中的空穴可将P型半导体层(102)表面附近的场强减小到传统水平之下，并减少了导电型的反转，以便因此减小光接收装置之间的漏泄电流。 | ||
| 申请公布号 | CN100370628C | 申请公布日期 | 2008.02.20 |
| 申请号 | CN02822978.9 | 申请日期 | 2002.11.29 |
| 申请人 | 夏普株式会社 | 发明人 | 森冈达也;林田茂树;谷善彦;大久保勇;和田秀夫 |
| 分类号 | H01L31/101(2006.01);H01L27/14(2006.01) | 主分类号 | H01L31/101(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种光接收器件，包括设置在一半导体层上的多个光接收部件，其中三层以上的透光性膜设置在所述多个光接收部件上以及设置在所述多个光接收部件之间的部分上，并且彼此邻接的所述透光性膜的材料彼此不同。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||