发明名称 |
包含基于SOI的光学部件的多个集成电路的垂直堆叠 |
摘要 |
垂直堆叠的集成电路包括至少一个CMOS电子集成电路(IC)、基于SOI的光电子集成电路结构和光输入/输出耦合部件。多个金属化通路可穿过堆叠的厚度而形成,以便电气连接可在各个集成电路之间实现。能使用不同类型的光输入/输出耦合,如棱镜耦合、光栅、倒锥体等等。通过将光学和电气功能分离到独立的IC,各个IC的功能可被修改,而不需要重新设计余留的系统。通过使用具有CMOS电子IC的基于SOI的光电子器件的优点,为了光耦合的目的,可暴露一部分SOI结构以提供到波导SOI层的进入。 |
申请公布号 |
CN101128761A |
申请公布日期 |
2008.02.20 |
申请号 |
CN200680006269.4 |
申请日期 |
2006.02.04 |
申请人 |
斯欧普迪克尔股份有限公司 |
发明人 |
卡尔潘都·夏斯特里;威普库马·帕特尔;戴夫·佩德;约翰·芳曼 |
分类号 |
G02B6/12(2006.01) |
主分类号 |
G02B6/12(2006.01) |
代理机构 |
北京安信方达知识产权代理有限公司 |
代理人 |
陈怡;郑霞 |
主权项 |
1.一种多个集成电路的垂直堆叠装置,所述装置包括:基于绝缘硅(SOI)的光电子集成电路,其至少包括硅基底、中间电介质层和相对薄的硅表面层(SOI层),至少在所述SOI层中形成有源和无源光学器件;至少一个基于硅的电子集成电路,其布置成与所述基于SOI的光电子集成电路垂直堆叠,并向所述基于SOI的光电子集成电路提供电控制信号;以及光输入/输出耦合部件,其与所述垂直堆叠装置的所述SOI层结合起来布置,以将光信号耦合进所述基于SOI的光电子集成电路中以及从所述基于SOI的光电子集成电路中耦合出来。 |
地址 |
美国宾夕法尼亚州 |