| 发明名称 | 用于制作半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 一种用于在半导体器件的制作中处理栅叠层的方法包括：提供包含栅叠层的衬底，所述栅叠层具有形成在衬底上的介电层和形成在介电层上的含金属栅电极层；在等离子体中利用处理气体形成低能激发掺杂剂物质；以及将栅叠层暴露于激发掺杂剂物质以将掺杂剂结合到栅叠层中。该方法可以用于调节栅叠层的功函数。 | ||
| 申请公布号 | CN101128922A | 申请公布日期 | 2008.02.20 |
| 申请号 | CN200580047475.5 | 申请日期 | 2005.11.30 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 考利·瓦吉达;格特·莱乌辛克 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 李剑 |
| 主权项 | 1.一种处理半导体器件的栅叠层的方法，包括：提供包含栅叠层的衬底，所述栅叠层具有形成在所述衬底上的介电层和形成在所述介电层上的含金属栅电极层；在等离子体中由处理气体形成低能激发掺杂剂物质；以及将所述栅叠层暴露于所述激发掺杂剂物质，以将掺杂剂结合到所述栅叠层中。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||