发明名称 |
像素结构及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种像素结构及其制造方法,其包括提供基板,并在基板上依序形成栅极以及栅绝缘层,且栅绝缘层覆盖栅极。于基板上依序形成半导体层以及导体层。提供半调式光掩模,并利用半调式光掩模在导体层上形成一层图案化光阻层。以图案化光阻层为掩模,移除部分导体层以及半导体层,以形成源极、漏极以及通道层。移除图案化光阻层。于基板上形成图案化保护层,且图案化保护层具有接触窗开口,暴露出部分漏极。于基板上形成透明像素电极,且透明像素电极经由接触窗开口与漏极电性连接。使用此制造方法可以减少微影制程的次数,从而降低制造成本。 |
申请公布号 |
CN101127322A |
申请公布日期 |
2008.02.20 |
申请号 |
CN200610111097.9 |
申请日期 |
2006.08.15 |
申请人 |
中华映管股份有限公司 |
发明人 |
萧富元;陈建铭 |
分类号 |
H01L21/82(2006.01);H01L27/02(2006.01);G03F7/20(2006.01);G03F7/26(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/82(2006.01) |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
陈亮 |
主权项 |
1.一种像素结构的制造方法,包括:提供一基板,并在该基板上依序形成一栅极以及一栅绝缘层,其中该栅绝缘层覆盖该栅极;于该基板上依序形成一半导体层以及一导体层;提供一第一半调式光掩模,并利用该第一半调式光掩模在该导体层上形成一第一图案化光阻层;以该第一图案化光阻层为掩模,移除部分该导体层以及该半导体层,以形成一源极、一漏极以及一通道层;移除该第一图案化光阻层;于该基板上形成一图案化保护层,且该图案化保护层具有一接触窗开口,暴露出部分该漏极;以及于该基板上形成一透明像素电极,且该透明像素电极经由该接触窗开口与该漏极电性连接。 |
地址 |
台湾省台北市中山北路三段二十二号 |