| 发明名称 | 一种用于半导体工艺后段制程的聚合物残留去除方法 | ||
| 摘要 | 一种在半导体工艺后段制程中用于清除介电层刻蚀后残留在硅片上的聚合物的方法。现有的去胶方法存在聚合物无法彻底清除，造成出货镜检失效率超标的问题。本发明的用于半导体工艺后段制程的聚合物残留去除方法，包括下列步骤：(1)对刻蚀后的硅片进行干法去胶；(2)对经过步骤(1)处理的硅片进行湿法清洗；于步骤(2)之后再作一步干法去胶步骤。利用本发明的聚合物残留去除方法，可使出货镜检失效率降为零，并达到几乎不增加成本而提高良率的有益效果。适用于压点、通孔、接触孔等容易形成聚合物残留的集成电路结构。 | ||
| 申请公布号 | CN101126909A | 申请公布日期 | 2008.02.20 |
| 申请号 | CN200610030085.3 | 申请日期 | 2006.08.15 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 吴关平;高燕;张颂周 |
| 分类号 | G03F7/26(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | G03F7/26(2006.01) |
| 代理机构 | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人 | 王洁 |
| 主权项 | 1.一种用于半导体工艺后段制程的聚合物残留去除方法，包括下列步骤：(1)对刻蚀后的硅片进行干法去胶；(2)对经过步骤(1)处理的硅片进行湿法清洗；其特征在于，所述的方法于步骤(2)之后再重复一步干法去胶步骤。 | ||
| 地址 | 201203上海市张江路18号 | ||