| 发明名称 | 单晶片磁电阻式存储器 | ||
| 摘要 | 一种单晶片有一底材与至少一磁电阻式存储器层。此底材有一个铺在底层的存储器与一个控制单元。此磁电阻式存储器层放置在底材上，且具有由控制电路所控制的多个磁电阻式随机存取存储器单元。 | ||
| 申请公布号 | CN101128882A | 申请公布日期 | 2008.02.20 |
| 申请号 | CN200580047202.0 | 申请日期 | 2005.01.25 |
| 申请人 | 詹前疆;詹姆斯·C·赖 | 发明人 | 詹前疆;詹姆斯·C·赖 |
| 分类号 | G11C11/00(2006.01);G11C11/14(2006.01);G11C29/00(2006.01);G11B15/18(2006.01);G11B15/48(2006.01);G11B21/02(2006.01) | 主分类号 | G11C11/00(2006.01) |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人 | 陈亮 |
| 主权项 | 1.一种单晶片磁电阻存储器，至少包含：一底材，该底材具有基础存储器与控制电路；以及至少一磁性电阻层位于该底材之上，其中该磁性电阻层包含由该控制电路所控制的多个磁电阻存取存储器单元。 | ||
| 地址 | 台湾省台北县中和市中安街210号14楼 | ||