发明名称 |
阵列基板及液晶显示器 |
摘要 |
本发明公开了一种阵列基板及液晶显示器,该阵列基板具有显示区与环绕显示区的外围区,包括:多个薄膜晶体管设置于显示区上,以及至少一光电转换元件设置于外围区上,其中该薄膜晶体管包括:第一半导体层,具有通道区与通道区两侧的源极/漏极区;栅极介电层覆盖于该第半导体层上;以与门极层设置于栅极介电层上,且位于通道区上方,该光电转换元件包括:第二半导体层,具有P型掺杂区、N型掺杂区以及未掺杂区夹设于P型与N型掺杂区之间;第一介电层设置于第二半导体层上;以及反射层设置于第一介电层上,且位于未掺杂区上方。 |
申请公布号 |
CN101127362A |
申请公布日期 |
2008.02.20 |
申请号 |
CN200710152082.1 |
申请日期 |
2007.10.09 |
申请人 |
友达光电股份有限公司 |
发明人 |
赵志伟;翁健森;彭佳添 |
分类号 |
H01L27/142(2006.01);G02F1/1362(2006.01);G02F1/133(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/142(2006.01) |
代理机构 |
北京律诚同业知识产权代理有限公司 |
代理人 |
梁挥;祁建国 |
主权项 |
1.一种阵列基板,具有一显示区与环绕该显示区的一外围区,其特征在于,包括:多个薄膜晶体管,设置于该显示区上,包括:一第一半导体层,具有一通道区与该通道区两侧的一源极/漏极区;一栅极介电层,覆盖于该第一半导体层上;以及一栅极层,设置于该栅极介电层上,且位于该通道区上方;以及至少一光电转换元件,设置于该外围区上,包括:一第二半导体层,具有一P型掺杂区、一N型掺杂区以及一未掺杂区夹设于该P型掺杂区与该N型掺杂区之间;一第一介电层,设置于该第二半导体层上;以及一反射层,设置于该第一介电层上,且位于该未掺杂区上方。 |
地址 |
台湾省新竹 |