发明名称 阵列基板及液晶显示器
摘要 本发明公开了一种阵列基板及液晶显示器,该阵列基板具有显示区与环绕显示区的外围区,包括:多个薄膜晶体管设置于显示区上,以及至少一光电转换元件设置于外围区上,其中该薄膜晶体管包括:第一半导体层,具有通道区与通道区两侧的源极/漏极区;栅极介电层覆盖于该第半导体层上;以与门极层设置于栅极介电层上,且位于通道区上方,该光电转换元件包括:第二半导体层,具有P型掺杂区、N型掺杂区以及未掺杂区夹设于P型与N型掺杂区之间;第一介电层设置于第二半导体层上;以及反射层设置于第一介电层上,且位于未掺杂区上方。
申请公布号 CN101127362A 申请公布日期 2008.02.20
申请号 CN200710152082.1 申请日期 2007.10.09
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 赵志伟;翁健森;彭佳添
分类号 H01L27/142(2006.01);G02F1/1362(2006.01);G02F1/133(2006.01) 主分类号 H01L27/142(2006.01)
代理机构 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人 梁挥;祁建国
主权项 1.一种阵列基板,具有一显示区与环绕该显示区的一外围区,其特征在于,包括:多个薄膜晶体管,设置于该显示区上,包括:一第一半导体层,具有一通道区与该通道区两侧的一源极/漏极区;一栅极介电层,覆盖于该第一半导体层上;以及一栅极层,设置于该栅极介电层上,且位于该通道区上方;以及至少一光电转换元件,设置于该外围区上,包括:一第二半导体层,具有一P型掺杂区、一N型掺杂区以及一未掺杂区夹设于该P型掺杂区与该N型掺杂区之间;一第一介电层,设置于该第二半导体层上;以及一反射层,设置于该第一介电层上,且位于该未掺杂区上方。
地址 台湾省新竹
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