| 发明名称 | 固体摄像器件及其驱动方法 | ||
| 摘要 | 提供一种固体摄像器件及其驱动方法，通过在长秒摄影模式的曝光期间(长秒存储期间)内，向形成有光电变换部(2)和漏极区(4)的阱(5)施加与作为周边电路的基准电压的第一基准电压Vss1(接地电压)不同的第二基准电压Vss2，抑制栅电极(6)下的阱(5)表面处的暗电子发生。第二基准电压Vss2的极性是，当阱(5)的导电型为P型时是正的、为N型时是负的。 | ||
| 申请公布号 | CN101128934A | 申请公布日期 | 2008.02.20 |
| 申请号 | CN200580048679.0 | 申请日期 | 2005.07.21 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 稻垣诚;松长诚之 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01);H04N5/335(2006.01) | 主分类号 | H01L27/146(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 陈英俊 |
| 主权项 | 1.一种固体摄像器件，在半导体基板的阱上具备配置成矩阵状的单位像素部和其周边电路，其特征在于，该固体摄像器件具备：第一导电型的阱，从半导体基板的表面向内部形成；和基准电压供给布线，向上述阱切换供给成为周边电路的基准电压的第一基准电压、和绝对值大于该第一基准电压且极性与电源电压相同的第二基准电压；上述单位像素部包括：光电变换部，是从上述阱的表面向内部形成的第二导电型区域，存储对入射光进行光电变换而得到的信号电荷；栅电极，形成在上述阱上，从上述周边电路接受电压供给，传送存储在上述光电变换部的电荷；以及漏极区，是从上述阱的表面向内部形成的第二导电型的区域，暂时存储由上述栅电极传送的信号电荷。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||