| 发明名称 | 陶瓷电子部件的制造方法及镀浴 | ||
| 摘要 | 一种陶瓷电子部件的制造方法，包括：准备使用含Ba的陶瓷而构成的电子部件形成体的工序；在所述电子部件形成体的外表面形成电极的工序，并且该电极具有通过电镀所形成的Sn镀膜，其特征在于，作为在形成所述Sn镀膜时所使用的镀浴，使用Sn离子浓度A为0.03～0.51摩尔/L、硫酸根离子浓度B为0.005～0.31摩尔/L、摩尔比B/A低于1、pH在6.1～10.5的范围内的镀浴。根据本发明，能够提供在Sn镀膜的形成之际，Ba从电子部件形成体的溶出难以发生，不仅由Sn镀膜造成的电子部件形成体彼此间的粘合难以发生，并且可钎焊性良好的陶瓷电子部件的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN101128623A | 申请公布日期 | 2008.02.20 |
| 申请号 | CN200680006393.0 | 申请日期 | 2006.02.01 |
| 申请人 | 株式会社村田制作所 | 发明人 | 元木章博;小川诚;松本诚一;高野良比古;国司多通夫 |
| 分类号 | C25D3/30(2006.01);C25D7/00(2006.01) | 主分类号 | C25D3/30(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 1.一种陶瓷电子部件的制造方法，包括：准备使用含Ba的陶瓷而构成的电子部件形成体的工序、和在所述电子部件形成体的外表面形成电极的工序，并且该电极具有通过电镀所形成的Sn镀膜，其特征在于，作为在形成所述Sn镀膜时所使用的镀浴，使用Sn离子浓度A为0.03～0.51摩尔/L、硫酸根离子浓度B为0.005～0.31摩尔/L、摩尔比B/A低于1、pH在6.1～10.5的范围内的镀浴。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||