| 发明名称 | 半导体晶片研磨用组合物、其制造方法和研磨加工方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供含有胶态二氧化硅的半导体晶片研磨用组合物，该胶态二氧化硅由从硅酸碱水溶液除去碱而得到的活性硅酸水溶液和季铵碱制造，并且通过季铵碱而被稳定化。该研磨用组合物不含碱金属。另外，该研磨用组合物含有将在25℃时的酸解离常数的倒数的对数值(pKa)为8.0～12.5的弱酸和季铵碱组合而成的缓冲溶液，并且，研磨用组合物在25℃时、pH为8～11之间具有缓冲作用。 | ||
| 申请公布号 | CN101126012A | 申请公布日期 | 2008.02.20 |
| 申请号 | CN200710140386.6 | 申请日期 | 2007.08.10 |
| 申请人 | 日本化学工业株式会社;创技电子机械有限公司 | 发明人 | 前岛邦明;宫部慎介;泉昌宏;田中弘明;黑田真希子 |
| 分类号 | C09K3/14(2006.01);H01L21/304(2006.01) | 主分类号 | C09K3/14(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 1.一种半导体晶片研磨用组合物，其特征在于：含有胶态二氧化硅，该胶态二氧化硅由从硅酸碱水溶液除去碱而得到的活性硅酸水溶液和季铵碱制造，并且通过季铵碱而被稳定化，实质上不含碱金属，含有将在25℃时的酸解离常数的倒数的对数值pKa为8.0～12.5的弱酸和季铵碱组合而成的缓冲溶液，并且，在25℃时、pH为8～11之间具有缓冲作用。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||