用于清洗微电子衬底的含硅酸盐碱性组合物

摘要

本发明提供一种水基碱性组合物，用于微电子工业中，通过清除光刻胶残渣和其它不要的污染物以清除或清洗半导体晶片衬底。所述组合物典型低含有(a)一种或多种无金属离子的碱，其含量足以产生约11或更大的pH值，(b)约0.01-5重量％(表示为％SiO₂)的水溶性无金属离子的硅酸盐；(c)任选地，约0.01-10重量％的一种或多种螯合剂；(d)任选地，约0.01-80重量％的一种或多种水溶性有机共溶剂；(e)任选地，约1-50重量％的钛残渣清除增强剂；和(f)任选地，约0.01-1重量％的水溶性表面活性剂。

主权项

1.一种清除或清洗集成电路衬底的组合物，它包含：(a)一种或多种选自季铵氢氧化物、氢氧化铵和有机胺的无金属离子的碱，其含量足以产生约11或更高pH值的溶液；(b)一种0.01-5重量％的选自硅酸铵和季铵硅酸盐的水溶性无金属离子的硅酸盐；(c)至少一种组份，其含有以下两种试剂之一或全部：0.01-10重量％的至少一种或多种螯合剂，所述螯合剂选自(乙二胺)四乙酸、二亚乙基三胺五乙酸、三亚乙基四胺六乙酸、1，3-二氨基-2-羟基丙烷-N，N，N’，N’-四乙酸、N，N，N’，N’-乙二胺四(亚甲基膦酸)和(1，2-环己二胺)-四乙酸；1至50重量％的一种或多种钛残渣清除增强剂，所述钛残渣清除增强剂选自羟胺、羟胺盐、过氧化氢、臭氧和氟化物；和(d)水。