发明名称 透明导电性层叠体及备有其的触摸屏
摘要 本发明的透明导电性层叠体的特征在于,它具有透明的膜基材、在所述透明膜基材的一面用干法工艺设置的厚度为1~30nm而相对折射率为1.6~1.9的SiO<SUB>X</SUB>膜(x大于等于1.5而小于2)、在所述SiO<SUB>X</SUB>膜上设置的厚度为10~50nm的SiO<SUB>2</SUB>膜以及在所述SiO<SUB>2</SUB>膜上设置的厚度为20~35nm的透明导电性薄膜。
申请公布号 CN101127254A 申请公布日期 2008.02.20
申请号 CN200610112190.1 申请日期 2006.08.17
申请人 日东电工株式会社 发明人 梨木智刚;菅原英男;吉武秀敏
分类号 H01B5/14(2006.01);H01B7/02(2006.01);B32B9/00(2006.01);G06F3/041(2006.01) 主分类号 H01B5/14(2006.01)
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 代理人 苗堃;刘继富
主权项 1.一种透明导电性层叠体,其特征在于,具有透明的膜基材、在所述透明膜基材的一面用干法工艺设置的厚度1~30nm而相对折射率为1.6~1.9的SiOX膜、在所述SiOX膜上设置的厚度为10~50nm的SiO2膜以及在所述SiO2膜上设置的厚度为20~35nm的透明导电性薄膜,所述SiOX膜中的x大于等于1.5而小于2。
地址 日本大阪府