用于限制电阻随机存取存储器熔化点的自对准结构及方法

摘要

一种制造电阻随机存取存储器的方法，此存储器具有限定熔化区域，以在此可编程电阻存储器中切换相变。此工艺最初形成柱状结构其包括有衬底体、位于此衬底体上的第一导电材料、位于此第一导电材料之上的可编程电阻存储材料、位于此可编程电阻存储材料之上的高选择性材料、以及位于此高选择性材料之上的氮化硅材料。此柱状结构中的高选择性材料在其两侧被各向同性蚀刻，以在此长度被缩减的高选择性材料的两侧分别生成空洞。可编程电阻存储材料沉积于限定区域之内，此限定区域先前被此长度缩减的多晶硅所占据，且此可编程电阻存储材料沉积于先前被氮化硅材料所占据的区域中。

主权项

1.一种用以制造电阻随机存取存储器的方法，包括：提供衬底体，其具有上表面；沉积第一导电层于所述衬底体的上表面上；在所述第一导电层之上形成下可编程电阻存储材料层；在所述下可编程电阻存储材料层之上形成高选择性层，所述高选择性层的选择性高于所述下可编程电阻存储材料层；在所述高选择性层之上形成氮化硅层；通过蚀刻所述第一导电层、所述下可编程电阻存储材料层、所述高选择性层以及所述氮化硅层而形成柱状结构，所述柱状结构包括导电区段、位于所述导电区段上的下可编程电阻存储材料区段、位于所述下可编程电阻存储材料区段上的高选择性区段以及位于所述高选择性区段上的氮化硅区段；以及各向同性地蚀刻所述高选择性区段，以在所述高选择性区段的每一侧减少大约相同的长度，进而生成核心构件，所述核心构件包括所述高选择性材料并且在所述高选择性区段的左侧具有第一空洞，而在所述高选择性区段的右侧具有第二空洞；其中所述高选择性层选取材料使得所述蚀刻步骤不会损害所述氮化硅区段与所述下可编程电阻存储材料区段。