| 发明名称 |
用以形成CVD/ALD金属钴层之氢化钴前驱物COBALT PRECURSORS USEFUL FOR FORMING COBALT-CONTAINING FILMS ON SUBSTRATES |
| 摘要 |
所揭示的为一种在制造半导体元件时，用来形成金属钴薄膜的钴前驱物；以及沉积此钴前驱物于基板上的方法，即，利用化学气相或原子层沉积方法。封装的钴前驱物组合物及微电子元件制造系统。 |
| 申请公布号 |
TW200808993 |
申请公布日期 |
2008.02.16 |
| 申请号 |
TW096121928 |
申请日期 |
2007.06.15 |
| 申请人 |
尖端科技材料股份有限公司 |
发明人 |
陈天牛;苏宗义;罗伊德杰佛里F ROEDER, JEFFREY F.;波姆汤玛斯H BAUM, THOMAS H.;汉迪克斯布莱恩C HENDRIX, BRYAN C. |
| 分类号 |
C23C16/18(2006.01);C07F15/06(2006.01) |
主分类号 |
C23C16/18(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财;李世章 |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
