发明名称 半导体装置和该半导体装置的制造方法
摘要 本发明的目的在于提供一种半导体装置及其制造方法,该半导体装置即使在使用形成在基板上的半导体膜时,也可以实现讯号处理的高速化且能确保一定的通讯距离。本发明的半导体装置包含:具有设置在基板上的电容部的类比电路部和资料电路部,其中在该电容部中设置有分别包括多个电容元件的多个区块、第一布线、以及第二布线。另外,设置在各个区块中的多个电容元件的每一个具有半导体膜,该半导体膜具有第一杂质区和中间夹着第一杂质区彼此相分离而设置的多个第二杂质区;以及中间夹着绝缘膜设置在第一杂质区上方的导电膜,其中电容由第一杂质区、绝缘膜、以及导电膜形成。
申请公布号 TW200810128 申请公布日期 2008.02.16
申请号 TW096118828 申请日期 2007.05.25
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 热海知昭;井上广树
分类号 H01L29/786(2006.01);H01L21/334(2006.01) 主分类号 H01L29/786(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本