发明名称 薄膜电晶体基板及显示装置
摘要 提供一种可以省略在薄膜电晶体的半导体层和源极及汲极之间形成障壁金属(无需在薄膜电晶体的半导体层和源极及汲极之间形成障壁金属)的薄膜电晶体基板及显示装置。(1)一种薄膜电晶体基板,具有:薄膜电晶体的半导体层;源极、汲极;以及透明导电膜,其特征在于:具有上述源极及汲极与上述薄膜电晶体的半导体层直接连接的构造,并且上述源极及汲极由含有0.1~6.0原子%的Ni、0.1~1.0原子%的La、0.1~1.5原子%的Si的Al合金薄膜构成,(2)一种设有上述薄膜电晶体基板的显示装置等。
申请公布号 TW200810127 申请公布日期 2008.02.16
申请号 TW096116162 申请日期 2007.05.07
申请人 神户制钢所股份有限公司 发明人 川上信之;后藤裕史;日野绫
分类号 H01L29/786(2006.01);G02F1/1343(2006.01);H01L21/203(2006.01) 主分类号 H01L29/786(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项
地址 日本