| 发明名称 |
形成SiCOH或SiCNH介电材料之方法及包含该介电材料之结构METHODS TO FORM SICOH OR SICNH DIELECTRICS AND STRUCTURES INCLUDING THE SAME |
| 摘要 |
本发明提供形成含有Si、C、O及H原子(SiCOH)或Si、C、N及Ｈ原子(SiCHN)之介电薄膜之方法，该等薄膜具有改良之黏结强度(或相当于改良断裂轫性或降低脆性)、以及增加之抗水降解性(例如应力腐蚀裂开、Cu侵入)及其他重要性质。本文亦包括含上述材料之电子结构。 |
| 申请公布号 |
TW200809971 |
申请公布日期 |
2008.02.16 |
| 申请号 |
TW096124155 |
申请日期 |
2007.07.03 |
| 申请人 |
万国商业机器公司 |
发明人 |
史帝芬 麦科尼尔 盖特斯;艾佛列德 葛瑞尔;桑 凡 努彦;杰拉德 尚 麦可 都波斯;罗伯特 丹尼斯 米勒;维希诺海 维坦巴海 派特;维克特 逸 威 李 |
| 分类号 |
H01L21/312(2006.01);H01L23/532(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/312(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
