| 摘要 |
本发明系关于一种具源极／本体单一接点及侧边环绕闸极之垂直式金氧半场效电晶体及其制作方法。藉由利用单一接点且同时具有源极与本体接点，并配合矽覆绝缘(SOI)基板，使得单一接点处将散热问题以及离子冲击化产生的电洞有效排除。此外，亦具有SOI基板大为减少PN接面与降低漏电流的主要特性。并且在本发明垂直式金氧半场效电晶体之架构中，不必局限于知技术须由光罩定义闸极与通道之缺点。另外，可直接自我对准周围环绕的侧边闸极。藉由垂直式金氧半场效电晶体之结构，其高度可弹性地调整以达到所需通道的长度。同时，利用本发明之单一接点可克服所可能产生的屈膝效应或本体浮接效应，以及自我加热效应。 |
