发明名称 原子层沉积之方法
摘要 本发明系关于一种使薄膜沉积至一基板上之沉积方法,其包含提供包含至少第一气态材料、第二气态材料及第三气态材料之复数个气态材料,其中该第一气态材料及该第二气态材料系彼此可反应的,使得当该第一气态材料或第二气态材料中之一者在该基板之表面上时,该第一气态材料或第二气态材料中之另一者将会反应,以在该基板上沉积一材料层,且其中该第三气态材料对于与该第一气态材料或该第二气态材料之反应呈惰性。本发明之方法包含使该等气态材料沿复数个伸长通道之长度方向越过该基板表面之紧密邻近于该等伸长通道之表面而流动。
申请公布号 TW200808997 申请公布日期 2008.02.16
申请号 TW096110842 申请日期 2007.03.28
申请人 柯达公司 发明人 大卫H 李维
分类号 C23C16/455(2006.01);C23C16/52(2006.01) 主分类号 C23C16/455(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国
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