| 摘要 |
本发明提供一种基板处理装置及半导体装置之制造方法，其不易产生因处理室内之压力未保持一定而引起之基板处理不良，可进行良好之基板处理。基板处理装置，其具备：进行基板处理之处理室；反应气体供给部，系将反应气体供应于该处理室内；反应气体供给管线，系从该反应气体供给部将该反应气体供应于该处理室内；排气管线，系对该处理室内进行排气；泵，系设于该排气管线上，用以对该处理室内进行减压排气；压力调整阀，系设于该排气管线上，用以对该处理室内之压力进行调整；第１压力测定器，系用以测定该处理室内部之压力；第２压力测定器，系用以测定该处理室内部之压力与该处理室外部之压力的差压；及控制器，系在进行基板之处理时，根据藉由该第１压力测定器所测定之该处理室内部之压力的值来控制该压力调整阀，以使该处理室内部之压力保持为一定压力，同时根据藉由该第２压力测定器所测定之该差压的值来控制该反应气体供给部，以使在该处理室内部之压力比该处理室外部之压力更小时可将该反应气体供应至该处理室内，而在该处理室内部之压力比该处理室外部之压力更大时则不可将该反应气体供应至该处理室内。 |
