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发明名称
晶圆级半导体晶片封装及其制造方法
摘要
本发明揭示一种具有一前表面与曝露在该前表面处之接点的晶圆,其处置方式如下:藉由无电极电镀法来形成从该等接点处向上突出的导电冒口,接着在该装置的前表面上方该等冒口的周围涂敷一可流动材料,用以形成一介电层,让该等冒口曝露在譹介电层中背离该装置的顶表面处。可形成延伸在该介电层之顶表面上方的迹线,且该等迹线可被连接至该等冒口中之至少一些者。
申请公布号
TW200809994
申请公布日期
2008.02.16
申请号
TW096117445
申请日期
2007.05.16
申请人
泰斯拉公司
发明人
维克多 路威;吉尔司 胡斯顿;贝加索 哈巴
分类号
H01L21/60(2006.01);H01L21/50(2006.01)
主分类号
H01L21/60(2006.01)
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
美国
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