发明名称 晶圆级半导体晶片封装及其制造方法
摘要 本发明揭示一种具有一前表面与曝露在该前表面处之接点的晶圆,其处置方式如下:藉由无电极电镀法来形成从该等接点处向上突出的导电冒口,接着在该装置的前表面上方该等冒口的周围涂敷一可流动材料,用以形成一介电层,让该等冒口曝露在譹介电层中背离该装置的顶表面处。可形成延伸在该介电层之顶表面上方的迹线,且该等迹线可被连接至该等冒口中之至少一些者。
申请公布号 TW200809994 申请公布日期 2008.02.16
申请号 TW096117445 申请日期 2007.05.16
申请人 泰斯拉公司 发明人 维克多 路威;吉尔司 胡斯顿;贝加索 哈巴
分类号 H01L21/60(2006.01);H01L21/50(2006.01) 主分类号 H01L21/60(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国