石英制品及热处理装置

摘要

本发明系关于在操作一热处理装置时对半导体基板之铜污染之控制，该热处理装置系一半导体制造装置具以在加工时已被铜污染之石英制品建构。该石英制品在尚末用于半导体基板之热处理之阶段时置放于一加热气氛中。接着将包括氯化氢气体及例如氧气之用于增强该氯化氢气体之活性之气体的烘焙气体供应至该石英制品。随后，可将该石英制品之自表面至30μm深度之区域中之铜浓度控制在20ppb以下，较佳在3ppb以下。可在将该石英制品组装成该热处理装置之前或之后执行该烘焙过程。