| 发明名称 |
制造厚导线结构之双镶嵌制程 |
| 摘要 |
一种方法及半导体装置，在本方法中，至少有一部分介层被蚀刻于一堆叠结构中，且一边界被形成约至少一部分介层，该方法更包含当继续介层蚀刻到至少一蚀刻停止层，使用选择性蚀刻制造厚导线。 |
| 申请公布号 |
TW200809923 |
申请公布日期 |
2008.02.16 |
| 申请号 |
TW096101395 |
申请日期 |
2007.01.15 |
| 申请人 |
万国商业机器公司 |
发明人 |
道格拉斯D. 酷宝;基斯E. 道尼斯;彼得J. 林格蓝;安东尼K. 史坦普 |
| 分类号 |
H01L21/20(2006.01);H01L21/4763(2006.01);H01L21/8242(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/20(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
蔡玉玲 |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
