电浆蚀刻方法,电浆蚀刻装置,电脑记忆媒体及记忆有处理方法的记忆媒体

摘要

本发明的课题为，提供一种相较于以往可抑制高融点金属膜之基底膜之粗糙的产生之电浆蚀刻方法、电浆蚀刻装置、电脑记忆媒体及记忆有处理方法的记忆媒体。本发明的解决手段为，将被处理基板10的高融点金属膜102经由遮罩层103进行电浆蚀刻的方法，具备：第1蚀刻步骤，系进行结晶粒(grain)交界部之蚀刻速度比结晶粒之蚀刻速度快的电浆蚀刻；和第2蚀刻步骤，系进行高融点金属膜相对于绝缘膜的选择比高于第1蚀刻步骤的电浆蚀刻，且在结晶粒交界部的绝缘膜101露出前，从第1蚀刻步骤切换至第2蚀刻步骤。