于深沟渠中形成浅沟渠隔离结构之方法及该方法之应用

摘要

一种于一深沟渠中形成一浅沟渠隔离结构之方法及该方法之应用，其中，该深沟渠系位于一基底内且含有一上电极及在该上电极上方之一第一绝缘层，且该基底表面具有一垫绝缘层，该方法系包含：形成一硬罩幕层于该第一绝缘层上；掺杂该硬罩幕层之一第一部分；去除该硬罩幕层之未经掺杂部分而暴露出部分该第一绝缘层，且保留该第一部分；去除该经暴露之第一绝缘层部分而暴露出部份该上电极；以及形成一导电层于该经暴露之上电极上方，该导电层之上缘距该垫绝缘层表面一预定深度。