发明名称 | 奈米结晶矽点层的制造方法 | ||
摘要 | 一种奈米结晶矽点层的制造方法,此方法是在基底上形成一矽层,此矽层为一个混合结构包括一个部份结晶矽区域与一个部分非晶矽区域。然后,进行氧化制程,以使全部的非晶矽区域以及结晶矽区域的表面氧化成氧化矽,以形成一含奈米结晶矽点的氧化矽层。 | ||
申请公布号 | TW200810024 | 申请公布日期 | 2008.02.16 |
申请号 | TW095129180 | 申请日期 | 2006.08.09 |
申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 卢棨彬 |
分类号 | H01L21/8239(2006.01) | 主分类号 | H01L21/8239(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |